[發(fā)明專利]光刻設(shè)備、傳感器以及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380015349.6
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN104204951B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·伊萬格利斯塔;D·克倫德;C·德布瑞吉恩
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華,張寧

1.一種用于測量帶內(nèi)輻射的屬性的傳感器，包括：

光電二極管，位于半導(dǎo)體襯底的面上；

第一輻射阻擋材料，被提供成圍繞所述半導(dǎo)體襯底的面上的所述光電二極管；

第二輻射阻擋材料，位于所述半導(dǎo)體襯底的側(cè)部上；

其中，所述第二輻射阻擋材料提供了對于帶外輻射的抑制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中，所述帶內(nèi)輻射是EUV輻射。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述帶外輻射包括可見光、IR、近IR和DUV輻射中的一個或多個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述第一輻射阻擋材料包括金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述第二輻射阻擋材料也位于所述光電二極管之上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感器，其中，所述第二輻射阻擋材料允許EUV輻射的透射。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述第二輻射阻擋材料并未位于所述光電二極管之上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的傳感器，其中，所述第二輻射阻擋材料提供了對可見光、EUV和DUV輻射的抑制。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述第二輻射阻擋材料包括氮化鈦或鋯。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述光電二極管是位于所述半導(dǎo)體襯底的所述面上的多個光電二極管中的一個。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述傳感器位于支撐件上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳感器，其中，所述第一輻射阻擋材料或所述第二輻射阻擋材料中的至少一個形成了在多層堆疊中的一層。

13.一種用于測量帶內(nèi)輻射的屬性的設(shè)備，包括：

光學(xué)系統(tǒng)，配置成調(diào)節(jié)輻射束；以及

傳感器，包括位于半導(dǎo)體襯底的面上的光電二極管，在所述設(shè)備操作期間所述輻射束被引導(dǎo)朝向所述半導(dǎo)體襯底的所述面，其中第一輻射阻擋材料被提供成圍繞所述半導(dǎo)體襯底的所述面上的所述光電二極管，

其中，第二輻射阻擋材料位于所述半導(dǎo)體襯底的側(cè)部上，在光刻設(shè)備的操作期間所述輻射束入射在所述側(cè)部上；以及

其中所述第二輻射阻擋材料提供對于帶外輻射的抑制。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備是光刻設(shè)備、輻射源設(shè)備、度量設(shè)備或用于檢測表面的屬性的檢測設(shè)備中的一個。

15.一種光刻方法，包括：

使用光刻設(shè)備的照射系統(tǒng)調(diào)節(jié)輻射束；以及

使用傳感器測量所述輻射束，所述傳感器包括位于半導(dǎo)體襯底的面上的光電二極管、被提供成圍繞所述半導(dǎo)體襯底的所述面上的所述光電二極管的第一輻射阻擋材料，其中在所述光刻設(shè)備操作期間所述輻射束被引導(dǎo)朝向所述半導(dǎo)體襯底的所述面，以及其中第二輻射阻擋材料被提供在所述半導(dǎo)體襯底的側(cè)部上，在所述光刻設(shè)備操作期間所述輻射束入射在所述半導(dǎo)體襯底的所述側(cè)部上；以及

其中所述第二輻射阻擋材料提供對于帶外輻射的抑制。