[發明專利]用于糾正等離子體處理系統中的不對稱性的方法和裝置有效
| 申請號: | 201380015068.0 | 申請日: | 2013-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104204288B | 公開(公告)日: | 2016-10-26 |
| 發明(設計)人: | 南尚基;拉金德爾·迪恩賽 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | C23C16/00 | 分類號: | C23C16/00 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 糾正 等離子體 處理 系統 中的 對稱性 方法 裝置 | ||
1.一種具有等離子體處理室的等離子體處理系統,其包括:
室壁和室襯里中的至少一個;
圍繞室表面的周邊設置的多條接地母線,所述室表面是所述等離子體處理室的室壁和室襯里中的一個;和
至少第一阻抗裝置,所述第一阻抗裝置耦合到所述多條接地母線中的至少第一接地母線,其中所述多條接地母線中的第二接地母線不具備與所述第一阻抗裝置具有相同阻抗值的第二阻抗裝置。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理系統,其中所述第二接地母線具備所述第二阻抗裝置,所述第二阻抗裝置具有與所述第一阻抗裝置的阻抗值不同的阻抗值。
3.根據權利要求1所述的等離子體處理系統,其中所述第二接地母線不具備所述第二阻抗裝置。
4.根據權利要求1所述的等離子體處理系統,其中所述第一阻抗裝置是可調阻抗裝置。
5.根據權利要求1所述的等離子體處理系統,其中所述第一阻抗裝置和所述第二阻抗裝置是構造成響應于傳感器測量值自動地進行原位調整的機器可調阻抗裝置。
6.根據權利要求5所述的等離子體處理系統,其中在生產期間至少逐個晶片地自動地原位調整所述機器可調阻抗裝置。
7.根據權利要求5所述的等離子體處理系統,其中響應于來自計算機的計算機可讀指令自動地原位調整所述機器可調阻抗裝置。
8.一種具有等離子體處理室的等離子體處理系統,包括:
室壁和室襯里中的至少一個;
圍繞室表面的周邊設置的多條接地母線,所述室表面是所述等離子體處理室的所述室壁和所述室襯里中的一個;和
磁性耦合到所述多條接地母線中的至少第一接地母線的至少第一線圈,其中所述多條接地母線的第二接地母線不具備與所述第一線圈具有相同的線圈電流值的第二線圈。
9.如權利要求8所述的等離子體處理系統,其中所述第二接地母線具備所述第二線圈,所述第二線圈具有與所述第一線圈的線圈電流不同的線圈電流。
10.根據權利要求8所述的等離子體處理系統,其中所述第二接地母線不具備所述第二線圈。
11.如權利要求8所述的等離子體處理系統,其中響應于傳感器測量值能原位將所述第一線圈和所述第二線圈中的電流自動地調節到不同的線圈電流值。
12.如權利要求11所述的等離子體處理系統,其中在生產期間原位地至少逐個晶片地將所述第一線圈和所述第二線圈自動地調節到不同的線圈電流值。
13.如權利要求11所述的等離子體處理系統,其中響應于來自計算機的計算機可讀指令,原位將所述第一線圈和所述第二線圈中的電流自動地調節到不同的線圈電流值。
14.如權利要求8所述的等離子體處理系統,其中所述第一線圈纏繞在所述第一接地母線的周圍。
15.如權利要求8等離子體處理系統,其中相比于所述多條接地母線的任何其它接地母線,所述第一線圈位于較靠近所述第一接地母線的位置。
16.如權利要求8所述的等離子體處理系統,其中由所述第一線圈中的線圈電流所引起的電流是對所述第一接地母線中的電流的附加。
17.如權利要求16所述的等離子體處理系統,其中由所述第二線圈中的線圈電流所引起的電流是對所述第二接地母線中的電流的抵消。
18.如權利要求8所述的等離子體處理系統,其中由所述第一線圈中的線圈電流所引起的電流是對所述第一接地母線中的電流的抵消。
19.一種用于補償具有等離子體處理室的等離子體處理系統中的方位角不均勻性的方法,包括:
利用與所述室相關的至少一個傳感器來測量所述方位角不均勻性的標記;以及
響應于所述測量,調節成組的機器可調阻抗裝置中的至少一個裝置的值和各線圈中的成組的線圈電流,與多條接地母線相關的所述成組的機器可調阻抗裝置和所述成組的線圈中的所述至少一個圍繞室表面的周邊設置,所述室表面是所述等離子體處理室的室壁和室襯里中的一個。
20.根據權利要求19所述的方法,其中所述調節步驟調節所述成組的機器可調阻抗裝置的所述值。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





