[發明專利]與光刻及其他應用中的超紫外輻射聯用的材料、組件以及方法

有效

• 申請號: 201380014923.6
• 申請日: 2013-01-18
• 公開（公告）號: CN104254789B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 蘇普瑞亞·杰斯瓦爾
• 申請（專利權）人: 蘇普瑞亞·杰斯瓦爾
• 主分類號: G02B1/00
• 分類號: G02B1/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 宋靜嫻

相關申請

本申請是提交于2012年1月19日的題為“Materials,Components,and Methods for Use with Extreme Ultraviolet Radiation in Lithography&Other Applications(與光刻及其他應用中的超紫外輻射聯用的材料、組件以及方法)”的美國臨時申請第61/588601號的非臨時申請，該美國臨時申請的公開內容通過引用全文包括于此。

背景

光刻系統通常被用于制造例如器件。此類系統的分辨能力與曝光波長成比例。因此，較短的波長能改善制造中的分辨度。超紫外光刻(EUVL)使用超紫外(EUV)波長(近似120納米至0.1納米)上的電磁輻射。相應地，這些波長上的光子具有近似10電子伏特(eV)至12.4keV(分別對應124nm和0.1nm)范圍內的能量。超紫外波長可通過諸如等離子體和同步加速器光源來人工地生成。使用EUV波長進行光刻在諸如半導體芯片等器件以及諸如聚合物電子器件、太陽能電池、生物技術、醫療技術等其他應用中具有減小特征尺寸的潛在優勢。在EUV波長上，用于形成例如反光鏡、透鏡、光刻膠等光刻系統的組件的材料變得重要。然而，大多數材料對于EUV波長上的輻射具有高吸收率。在EUV波長上這些材料中的較高吸收降低了EUV光刻系統的性能。例如，EUV光刻系統可能需要更高的功率源來克服此吸收。

發明內容

本公開一般涉及與諸如光刻(EUVL)或其他應用中的紫外(UV)、超紫外(EUV)和軟X射線輻射聯用的材料、設備、裝置以及方法。更具體地但并非排他性地，本公開涉及用在UV、EUV和軟X射線應用中的材料和組件、以及此類材料和組件的制造方法以及此類材料和組件在使用EUV輻射的裝置、設備、和系統中的使用方法。

在某些實施例中，本公開涉及可在曝光系統中使用的元件，其中該系統或子系統包括發射具有波長的光的光源。該元件可包括具有多個結構特征的材料。這多個結構特征可將該元件對于所選波長的反射率改善至大于70％。

在另一實施例中，本公開涉及可在曝光系統中使用的元件。該系統或子系統可包括發射具有波長的光的光源。該元件可包括具有多個結構特征的材料。這多個結構特征可將該元件對于所選波長的透射率改善至大于4％。

在另一實施例中，本公開涉及可在曝光系統中使用的元件。該系統或子系統可包括發射具有波長的光的光源。該元件可包括具有多個結構特征的材料。這多個結構特征可控制對于所選波長的電磁輻射吸收。

在一些實施例中，該曝光系統可包括光刻工具、生物技術系統、掃描或成像系統、天文系統、材料處理系統或者印刷系統。