[發明專利]雙重模式升壓調節器

有效

• 申請號: 201380014812.5
• 申請日: 2013-02-12
• 公開（公告）號: CN104170228B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 尼爾·多伊徹;陳金輝;詹姆斯·巴特林
• 申請（專利權）人: 密克羅奇普技術公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種具有雙重模式升壓調節器的集成電路裝置，其包括：

電源端子；

電源共用端子；

電感器端子；

外部晶體管柵極控制端子；

電壓輸出端子；

升壓調節器模式選擇端子；

電壓感測端子；

晶體管切換控制電路，其具有耦合到所述升壓調節器模式選擇端子的模式選擇輸入；

第一功率晶體管，其耦合于所述電感器端子與所述電壓輸出端子之間，且由所述晶體管切換控制電路控制；

電壓反饋電路，其耦合于所述電壓輸出端子與所述晶體管切換控制電路之間，且具有耦合到至少一個電壓參考的至少一個輸入；

啟動電路；

振蕩器，其耦合到所述啟動電路及所述晶體管切換控制電路；

第二功率晶體管，其耦合于所述電感器端子與所述電源共用端子之間，且由所述晶體管切換控制電路控制；

第一電壓測量裝置，其具有耦合到所述晶體管切換控制電路的輸出；

第二電壓測量裝置，其具有耦合到所述電感器端子的第一差分輸入及耦合到所述電壓感測端子的第二差分輸入；及

模式選擇開關，其具有耦合到所述第一電壓測量裝置的輸入的共用點、耦合到所述電感器端子的第一輸入及耦合到所述第二電壓測量裝置的輸出的第二輸入；

其中

當經由所述升壓調節器模式選擇端子選擇低功率升壓調節器模式時，所述第一功率晶體管及所述第二功率晶體管為作用的且由所述晶體管切換控制電路控制，且所述第一電壓測量裝置的所述輸入經由所述模式選擇開關耦合到所述電感器端子；且

當經由所述升壓調節器模式選擇端子選擇高功率升壓調節器模式時，所述第一功率晶體管及所述第二功率晶體管為非作用的，所述外部晶體管柵極控制端子被控制以驅動外部晶體管，且所述第一電壓測量裝置的所述輸入經由所述模式選擇開關耦合到所述第二電壓測量裝置的所述輸出。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述晶體管切換控制電路產生脈沖寬度調制或頻率調制控制信號。

3.根據權利要求1或2所述的集成電路裝置，其中所述振蕩器使用電阻-電容電路來確定其振蕩器頻率。

4.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述第一功率晶體管為P通道金屬氧化物半導體場效應晶體管。

5.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述第二功率晶體管為N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管。

6.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述第一電壓測量裝置為差分輸入運算放大器。

7.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述第二電壓測量裝置為差分輸入運算放大器。

8.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述集成電路裝置為包括模擬與數字電路及數字存儲器的微控制器。

9.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述升壓調節器模式的選擇存儲于非易失性存儲器中。

10.根據權利要求9所述的集成電路裝置，其中所述非易失性存儲器選自由熔絲位及電可編程非易失性存儲器位組成的群組。

11.一種包含根據權利要求1-10中之一所述的集成電路裝置的低功率電路布置，其中所述集成電路裝置經設置以通過所述模式選擇端子上的信號而在所述低功率升壓模式操作，所述電壓感測端子是外部耦合于地電位，且無外部晶體管與所述集成電路裝置連接。

12.根據權利要求11所述的低功率電路布置，其中所述低功率電路布置進一步包含：

電感器，其耦合于所述電源端子與所述電感器端子之間；

電源，其耦合于所述電源端子與所述電源共用端子之間；及

濾波電容器，其耦合于所述電壓輸出端子與所述電源共用端子之間。

13.根據權利要求11所述的低功率電路布置，其中所述電源為電池。

14.根據權利要求13所述的低功率電路布置，其中所述電池具有從0.9伏到1.8伏的電壓。