[發明專利]用于防止電子電路中磁感生電流的神經刺激系統有效
| 申請號: | 201380014726.4 | 申請日: | 2013-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104168949A | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發明(設計)人: | 基蘭·顧璐拉;普吉塔·維拉孔;諾蘭·N·馬飛德;霍爾迪·巴拉蒙;所羅門·牧騰;伊曼紐爾·費爾德曼 | 申請(專利權)人: | 波士頓科學神經調制公司 |
| 主分類號: | A61N1/08 | 分類號: | A61N1/08 |
| 代理公司: | 上海和躍知識產權代理事務所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 胡艷 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 防止 電子電路 感生電流 神經 刺激 系統 | ||
1.一種能處在活動刺激狀態和非活動刺激狀態之間的神經刺激裝置,其包括:
多個被配置成被分別聯接至多個刺激電極的電氣端子;
被聯接至所述電氣端子中的第一個的第一固態開關器件;
被聯接至所述第一開關器件的可變電源;以及
控制器,其被配置成,當所述神經刺激裝置處于所述非活動刺激狀態中時,促使所述可變電源選擇性地輸出相對較低的電壓以將所述第一開關器件置于第一打開狀態中以及輸出相對較高的電壓以將所述第一開關器件置于第二打開狀態中。
2.根據權利要求1所述的神經刺激裝置,其中所述控制器被進一步配置成,當所述神經刺激裝置處于所述活動刺激狀態中時,促使所述可變電源輸出所述相對較高的電壓以將所述第一開關器件置于所述第二打開狀態中。
3.根據權利要求1所述的神經刺激裝置,其還包括被聯接至所述電氣端子中的第二個的第二固態開關器件,其中所述第一和第二開關器件相互短路,其中所述可變電源被聯接至所述第二開關器件,且所述控制器被配置成,當所述神經刺激裝置處于所述非活動刺激狀態中時,促使所述可變電源選擇性地輸出所述相對較低的電壓以將所述第二開關器件置于所述第一打開狀態中以及輸出所述相對較高的電壓以將所述第二開關器件置于所述第二打開狀態中。
4.根據權利要求3所述的神經刺激裝置,其中所述第一和第二開關器件中的每一個包括兩個互補傳輸門開關。
5.根據權利要求4所述的神經刺激裝置,其中所述兩個互補傳輸門開關包括N溝道金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管和P溝道金屬氧化物半導體(PMOS)。
6.根據權利要求2所述的神經刺激裝置,其還包括至少一個刺激源,其中所述控制器被配置成,當所述神經刺激裝置處于所述活動刺激狀態中時,促使所述至少一個刺激源在所述第一和第二電氣端子之間傳送一系列刺激脈沖,并在傳送所述脈沖中的每一個的期間促使所述可變電源輸出所述相對較高的電壓,以及在傳送所述脈沖中的每一個后使所述第一開關器件接地以將所述第一開關器件置于關閉狀態中。
7.根據權利要求1所述的神經刺激裝置,其中所述相對較低的電壓低于5伏且所述相對較高的電壓高于10伏。
8.根據權利要求1所述的神經刺激裝置,其還包括遙測電路,其被配置成接收在所述神經刺激裝置外部的信號,其中所述控制器被配置成響應于所述外部信號促使所述可變電源輸出所述相對較高的電壓。
9.根據權利要求8所述的神經刺激裝置,其還包括傳感機構,其被配置成在存在外部磁場的情況下停用所述神經刺激裝置,其中響應于所述外部信號,所述控制器被配置成防止所述神經刺激裝置被停用。
10.根據權利要求9所述的神經刺激裝置,其中所述控制器被配置成通過禁用所述傳感機構而防止所述神經刺激裝置被停用。
11.根據權利要求1所述的神經刺激裝置,其中所述可變電源包括電池以及高電壓電路,所述電池被配置成輸出所述相對較低的電壓,所述高電壓電路被配置成輸出所述相對較高的電壓。
12.一種防止在暴露于外部能量的、與患者相關聯的神經刺激裝置中的感生電流的方法,所述神經刺激裝置包括經第一電氣端子被聯接至第一刺激電極的第一固態開關器件,所述方法包括:
將所述神經刺激裝置置于非活動刺激狀態中;
當所述神經刺激裝置處于所述非活動刺激狀態中時,將相對較低的電壓施加至所述第一開關器件,從而將所述第一開關器件置于第一打開狀態中;
當所述神經刺激裝置處于所述非活動刺激狀態中時,將相對較高的電壓施加至所述第二開關器件,從而將所述第一開關器件置于第二打開狀態中;
將所述外部能量施加至所述患者,從而在所述第一電氣端子上感生出電壓,其中所述感生電壓處于一個水平上,在所述水平電流能被防止在所述第二打開狀態中時傳導通過所述第一開關器件,否則將會在所述第一打開狀態中傳導通過所述第一開關器件。
13.根據權利要求12所述的方法,其中所述外部能量為磁能。
14.根據權利要求12所述的方法,其中所述磁能為磁共振成像(MRI)掃描儀所生成的梯度磁場。
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