[發明專利]面光源

有效

• 申請號: 201380014419.6
• 申請日: 2013-02-20
• 公開（公告）號: CN104169633B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 斯特凡·伊萊克;馬蒂亞斯·扎巴蒂爾;亞歷山大·林科夫;托馬斯·布萊謝爾;諾溫·文馬爾姆;沃爾夫岡·門希
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: F21K99/00
• 分類號: F21K99/00;G02F1/1335;H01L33/58;H01L33/54;H01L33/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 丁永凡,張春水

1.一種面光源(1)，具有：

-至少一個光電子半導體芯片(2)，所述半導體芯片用于產生初級輻射并且具有輻射主側(20)，

-至少一個散射體(3)，所述散射體沿著所述半導體芯片(2)的主放射方向(x)設置在所述輻射主側(20)的下游，并且所述散射體構建為用于散射所述初級輻射，

其中

-所述散射體(3)具有至少一個主發射方向(y)，所述主發射方向傾斜于所述半導體芯片(2)的所述主放射方向(x)取向，

-所述散射體(3)的寬度沿著所述主放射方向(x)減小，

-所述散射體(3)沿著所述主放射方向(x)的高度(H)大于所述散射體(3)的橫截面的最大寬度(B)，

-所述散射體(3)包括輻射能穿透的基質材料和嵌在所述基質材料中的散射顆粒和/或轉換劑的顆粒，

-在俯視圖中來看，所述面光源(1)的光放射面積和所述半導體芯片(2)的所述輻射主側(20)的面積的商為至少250，

-在俯視圖中來看，所述散射體(3)完全地覆蓋所述半導體芯片(2)，并且

-在橫截面中來看，所述散射體(3)的所述主發射方向(y)和所述半導體芯片(2)的所述主放射方向(x)以在70°和90°之間的角度相對于彼此取向，其中包括邊界值，

-所述散射體(3)是多面體并且具有帶有三角形的基本形狀的橫截面，并且該基本形狀是所述散射體(3)的外部的輪廓在橫截面中的形狀。

2.根據權利要求1所述的面光源(1)，

其中所述散射體(3)連續地并且一件式地在多個所述半導體芯片(2)之上延伸，

其中在公差為所述半導體芯片(2)的厚度的至多200％的情況下，所述散射體(3)具有恒定的高度。

3.根據權利要求2所述的面光源(1)，

其中所述半導體芯片(2)沿著直線布置，所述散射體(3)在所述 半導體芯片之上延伸，并且所述散射體(3)的所述主發射方向(y)在公差為至多15°的情況下并且在俯視圖中來看垂直于所述線的取向。

4.根據權利要求2所述的面光源(1)，

其中多個所述散射體(3)彼此間隔開地設置在載體(5)上，

其中所述散射體(3)至少部分地彼此平行地設置和/或至少部分地橫向于彼此地設置或者交叉形地設置。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的面光源(1)，

其中所述散射體(3)直接施加在所述輻射主側(20)上，

其中所述半導體芯片(2)的側面(25)不具有所述散射體(3)。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的面光源(1)，

所述面光源包括至少一個反射體(8)，

其中所述反射體(8)在橫截面中來看具有梯形的基本形狀，并且所述反射體(8)的平均橫向延展(L)是所述半導體芯片(2)的所述輻射主側(20)的平均棱長的至少100倍，其中所述反射體(8)的基本形狀是所述反射體(8)的外部的輪廓在橫截面中的形狀。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的面光源(1)，

所述面光源包括至少一個具有冷卻體上側(90)的冷卻體(9)，

其中所述半導體芯片(2)安置在所述冷卻體上側(90)上并且所述冷卻體上側(90)構建為用于反射所述初級輻射，

其中所述冷卻體上側(90)的平均橫向延展(L)是所述半導體芯片(2)的所述輻射主側(20)的平均棱長的至少100倍。

8.根據權利要求6所述的面光源(1)，

所述面光源包括至少一個輻射能穿透的并且成形為固體的光分配器(4)，

其中所述散射體(3)位于所述光分配器(4)的凹部(43)中并且所述凹部(43)具有與所述散射體(3)相同的基本形狀，

其中所述光分配器(4)在橫截面中來看具有梯形基本形狀，并且所述光分配器(4)的平均橫向延展(L)是所述半導體芯片(2)的所述輻射主側(20)的平均棱長的至少20倍，并且所述光分配器(4)的 基本形狀是所述光分配器(4)的外部的輪廓在橫截面中的形狀，所述凹部的基本形狀是所述凹部的外部的輪廓在橫截面中的形狀。