[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201380014079.7
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN104170069A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 宮本忠芳;伊東一篤;宮本光伸;高丸泰
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體器件，其特征在于，具備：

基板；

在所述基板之上形成的柵極電極；

在所述柵極電極之上形成的柵極絕緣層；

氧化物層，其形成在所述柵極絕緣層之上，包含半導體區域和與所述半導體區域接觸的第一導電體區域，所述半導體區域的至少一部分隔著所述柵極絕緣層與所述柵極電極重疊；

覆蓋所述半導體區域的上表面的保護層；

與所述半導體區域電連接的源極電極和漏極電極；和

以隔著電介質層與所述第一導電體區域的至少一部分重疊的方式配置的透明電極，

所述漏極電極與所述第一導電體區域接觸，

在從所述基板的法線方向看時，所述保護層的端部與所述漏極電極的端部、所述源極電極的端部或所述柵極電極的端部大致對齊，所述半導體區域與所述第一導電體區域的邊界的至少一部分與所述保護層的端部大致對齊。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在從所述基板的法線方向看時，所述半導體區域配置在所述柵極電極的輪廓的內部。

3.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于：

所述氧化物層還具有位于所述半導體區域的與所述第一導電體區域相反的一側的第二導電體區域，

所述漏極電極與所述氧化物層的所述第一導電體區域的上表面接觸，所述源極電極與所述氧化物層的所述第二導電體區域的上表面接觸，

所述透明電極是隔著所述電介質層配置在所述氧化物層之上的上部透明電極，

在從所述基板的法線方向看時，所述保護層的端部與所述柵極電極的端部大致對齊，所述半導體區域與所述第一導電體區域以及第二導電體區域的邊界的至少一部分，與所述保護層的端部大致對齊。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在從所述基板的法線方向看時，所述半導體區域配置在與所述柵極電極、所述源極電極和所述漏極電極中的至少一個重疊的區域的輪廓的內部。

5.如權利要求1或4所述的半導體器件，其特征在于：

所述源極電極和漏極電極形成于所述柵極絕緣層與所述氧化物層之間，

所述氧化物層的所述半導體區域與所述源極電極的上表面和所述漏極電極的上表面接觸，

在從所述基板的法線方向看時，所述半導體區域與所述第一導電體區域的邊界的至少一部分，與所述漏極電極的端部大致對齊。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于：

所述透明電極是隔著所述電介質層配置在所述氧化物層之上的上部透明電極。

7.如權利要求4或5所述的半導體器件，其特征在于：

所述透明電極是配置在所述氧化物層與所述基板之間的下部透明電極，所述電介質層包含所述柵極絕緣層的至少一部分。

8.如權利要求3或6所述的半導體器件，其特征在于：

還具備源極－漏極連接部，

所述源極－漏極連接部還具備：

由與所述柵極電極相同的導電膜形成的柵極連接層；

由與所述源極電極相同的導電膜形成的源極連接層；和

由與所述上部透明電極相同的透明導電膜形成的透明連接層，

所述源極連接層與所述柵極連接層經所述透明連接層電連接。

9.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于：

還具備源極－漏極連接部，

所述源極－漏極連接部具備：

由與所述柵極電極相同的導電膜形成的柵極連接層；和

由與所述源極電極相同的導電膜形成的源極連接層，

所述源極連接層在設置于所述柵極絕緣層的開口部內與所述柵極連接層接觸。

10.如權利要求1至9中任一項所述的半導體器件，其特征在于：

所述氧化物層包含In、Ga和Zn。