[發(fā)明專利]用于保護氮化鎵場效應晶體管的柵極的驅動器電路的系統(tǒng)和設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380013542.6 | 申請日: | 2013-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN104170254B | 公開(公告)日: | 2017-04-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | H·P·弗漢尼-扎德;L·A·韋爾塔斯-桑切斯 | 申請(專利權)人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/08 | 分類號: | H03K17/08;H03K17/687 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產(chǎn)權代理有限公司11245 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 保護 氮化 場效應 晶體管 柵極 驅動器 電路 系統(tǒng) 設備 | ||
技術領域
本發(fā)明總體上涉及電壓箝位電路,并且更具體地,涉及用于氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET)的電壓箝位電路。
背景技術
通常,與諸如飽和的場效應晶體管(FET)的相同電阻(rdson)的金屬氧化物半導體FET(MOSFET)等現(xiàn)有硅FET相比,氮化鎵技術能夠制造具有較低柵極電容(Cg)以及柵極電荷(Qg)的功率場效應晶體管(FET)。
目前,氮化鎵FET(GaN?FET)可以比MOSFET好四到五倍(即,這些不同值是硅FET的不同值的1/4到1/5),并且認為GaN?FET可以潛在地比MOSFET好100倍。這意味著在同等的功率損耗的情況下,GaN?FET能夠以高得多的開關頻率進行開關。同樣,在電源電路中,這意味著在不改變操作頻率的情況下,如果使用GaN?FET代替MOSFET,那么GaN?FET可以幫助達到更高的效率。
盡管GaN?FET已經(jīng)可供使用有一段時間,但是在2010年其在制造上的最近的突破已經(jīng)產(chǎn)生在硅襯底上實施的GaN?FET,這使得業(yè)界相信在未來幾年中GaN?FET可以代替MOSFET在至少一部分用途中采用。
有關GaN?FET的更多信息請參看Stephen?L.Colino等人的“Application?Note:Fundamentals?of?Gallium?Nitride?Power?Transistors”,Efficient?Power?Conversion?Corporation(宜普電源轉換公司),Copyright?2011,其在此以全文引用的方式并入本文中。另外,請參看M.Kanamura等人的“Enhancement-Mode?GaN?MIS-HEMTs?With?n-GaN/i-AlN/n-GaN?Triple?Cap?Layer?and?High-k?Gate?Dielectrics”,IEEE?Electron?Device?Letters,2010年3月第3期第31卷,第189至191頁,其同樣以全文引用的方式并入本文中。
然而,存在與GaN?FET相關聯(lián)的缺點。盡管GaN?FET具有比硅MOSFET更高的性能,但是它們同樣在其使用要求上更加敏感和苛刻。這種敏感性的一個示例是GaN?FET的柵極以及源極(Vgs)對電壓偏移敏感。例如,宜普電源轉換公司(EPC)增強型GaN?FET通常需要5伏驅動信號來實現(xiàn)飽和,但是驅動電壓在任何條件下不應超過6伏,因為它會造成GaN?FET的“軟損壞”(rdson增加)。不同于硅MOSFET,更糟糕的是,GaN?FET并不具有體二極管,并且因此,在GaN?FET關閉時,如果Vds變成負值,那么GaN?FET在漏極與源極之間-3伏或-4伏的差值下接通,而不是如同在MOSFET的情況下將出現(xiàn)的體二極管降低電壓。
因此,在本領域中需要解決與GaN?FET相關聯(lián)的問題中的至少一些。
發(fā)明內(nèi)容
第一方面提供一種設備,其包括:第一氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET);第一驅動器,其耦合到第一GaN?FET的柵極;電容器的陽極,其耦合到驅動器的輸出端以及GAN的源極;二極管,其具有耦合到電容器陰極的陰極。第一方面進一步提供自舉電容器箝(BCC)控制器,其包含:場效應晶體管(FET),其耦合到二極管的陽極;以及比較器,其耦合到FET的柵極,比較器經(jīng)配置以接收以下項作為輸入:a)表示施加到FET的輸入電壓(VDRV)的信號;b)地;c)表示在電容器的陽極處的電壓的啟動信號(Boot);以及d)表示在第一GaN?FET的源極處的電壓的信號。BCC控制器經(jīng)配置以比較:a)i)VDRV與GND的差值,以產(chǎn)生第一比較信號,與b)ⅱ)Boot與GaN?FET的源極的差值,以產(chǎn)生第二比較信號;其中BCC控制器進一步經(jīng)配置以基于該比較來保持第一比較信號與第二比較信號之間的關系,并且其中BCC控制器進一步經(jīng)配置以將柵極輸出信號驅動到GaN?FET來保持這種關系。
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