[發明專利]排氣陣列及制造方法有效
| 申請號： | 201380013497.4 | 申請日： | 2013-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN104169657B | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | A·J·霍利達 | 申請（專利權）人： | W.L.戈爾及同仁股份有限公司 |
| 主分類號： | F24F7/00 | 分類號： | F24F7/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人： | 江漪 |
| 地址： | 美國特*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 排氣 陣列 制造 方法 | ||
1.一種排氣陣列，所述排氣陣列包括：
a.包括多孔PTFE基底的多個排氣區域，以及
b.包括具有多個穿孔的基質材料的無孔基底材料，其中，基底材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成無孔區域，所述無孔區域與多個排氣區域互連。
2.如權利要求1所述的排氣陣列，其特征在于，多孔PTFE基底是疏油性的。
3.如權利要求1所述的排氣陣列，其特征在于，所述基質材料是絕緣材料。
4.如權利要求1所述的排氣陣列，其特征在于，所述基質材料是環氧樹脂。
5.如權利要求1所述的排氣陣列，其特征在于，所述基質材料是聚酰亞胺。
6.如權利要求1所述的排氣陣列，其特征在于，所述排氣陣列的厚度小于200微米。
7.如權利要求1所述的排氣陣列，其特征在于，還包括附連層。
8.一種制造用于容器的排氣裝置的方法，所述容器形成內部空間和環境空間，并具有介于所述內部空間和所述環境空間之間的孔，所述排氣裝置適于放置在所述孔上，所述方法包括：
a.提供多孔PTFE基底，
b.提供具有多個穿孔的基質材料，
c.將所述多孔PTFE基底和所述基質材料組合，以使所述基質材料填充鄰近的多孔PTFE基底，從而形成具有多孔PTFE的區域和填充的PTFE基底的區域的復合物，以及
d.將所述復合物分為多個排氣裝置，每個排氣裝置包括多孔PTFE基底的至少一個區域。
9.一種制造排氣的MEMS封裝的方法，所述方法包括：
a.提供具有容器的MEMS封裝，所述容器形成內部空間和環境空間，并具有介于內部空間和所述環境空間之間的孔，
b.提供多孔PTFE基底，
c.提供具有多個穿孔的基質材料，
d.將所述多孔PTFE基底和所述基質材料組合，以使所述基質材料填充鄰近的多孔PTFE基底，由此，形成具有多孔PTFE的區域和填充的PTFE基底的區域的復合物，
e.將所述復合物分為多個排氣裝置，每個排氣裝置包括多孔PTFE基底的至少一個區域，以及
f.將所述排氣裝置附連在MEMS封裝的孔上。
10.一種制造排氣陣列的方法，所述方法包括：
a.提供多孔PTFE基底，
b.提供具有多個穿孔的基質材料，以及
c.將所述多孔PTFE基底和所述基質材料組合，以使所述基質材料填充鄰近的多孔PTFE基底，由此，形成具有多孔PTFE的區域和填充的PTFE基底的區域的復合物。
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