[發明專利]具有Si-DLC層的食品容器及其制造方法有效
| 申請號： | 201380013488.5 | 申請日： | 2013-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN104169183A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 李光烈;文明云;金成珍;宋恩景;趙京植;尹泰景 | 申請（專利權）人： | CJ第一制糖株式會社;韓國科學技術研究院 |
| 主分類號： | B65D25/14 | 分類號： | B65D25/14;C23C16/26;C08J7/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉燦強;韓明星 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 si dlc 食品容器 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有摻硅類金剛石碳(Si-DLC)層的食品容器，包括：
容器，由塑料材料制成；
中間薄層，形成在容器的表面上；以及
Si-DLC層，形成在中間薄層上。
2.根據權利要求1所述的食品容器，其中，對容器的所述表面執行等離子體處理，以改善容器的所述表面與中間薄層之間的粘著力。
3.根據權利要求1所述的食品容器，其中，容器由具有Si-DLC涂覆層的聚丙烯(PP)形成。
4.根據權利要求1所述的食品容器，其中，中間薄層由硅(Si)形成。
5.一種具有Si-DLC層的食品容器的制造方法，所述方法包括以下步驟：
準備由塑料材料制成的容器；
對容器的表面執行等離子體處理；
在容器的表面上沉積中間薄層；以及
在中間薄層上沉積Si-DLC層。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，在執行等離子體處理的步驟中，利用氬(Ar)來執行等離子體處理。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，容器由PP形成。
8.根據權利要求5所述的方法，其中，中間薄層由Si形成。
9.根據權利要求5所述的方法，其中，通過等離子體化學氣相沉積來執行沉積中間薄層的步驟和沉積Si-DLC層的步驟。
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