[發明專利]熱敏電阻用金屬氮化物膜及其制造方法以及薄膜型熱敏電阻傳感器無效
| 申請號： | 201380013405.2 | 申請日： | 2013-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN104170031A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 田中寬;藤田利晃;長友憲昭;藤原和崇;稻葉均 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | H01C7/04 | 分類號： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熱敏電阻 金屬 氮化物 及其 制造 方法 以及 薄膜 傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種熱敏電阻用金屬氮化物膜，所述金屬氮化物膜用于熱敏電阻，其特征在于，
所述金屬氮化物膜由以通式：TixAlyNz表示的金屬氮化物構成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95，0.4≤z≤0.5，x+y+z＝1，其晶體結構為六方晶系的纖鋅礦型單相，在X射線衍射時a軸取向(100)的衍射峰強度與c軸取向(002)的衍射峰強度的峰值比，即a軸取向(100)的衍射峰強度/c軸取向(002)的衍射峰強度為0.1以下。
2.一種薄膜型熱敏電阻傳感器，其特征在于，具備：絕緣性薄膜；薄膜熱敏電阻部，由權利要求1中記載的熱敏電阻用金屬氮化物膜形成于該絕緣性薄膜上；一對圖案電極，至少形成于所述薄膜熱敏電阻部之上或之下。
3.一種熱敏電阻用金屬氮化物膜的制造方法，其特征在于，其為制造權利要求1中記載的熱敏電阻用金屬氮化物膜的方法，具有使用Ti-Al合金濺射靶在含氮氣氛中進行反應性濺射而成膜的成膜工序，并且將所述反應性濺射時的濺射氣體壓力設定為0.41Pa以下。
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