[發(fā)明專利]EUV范圍的反射鏡、制造該反射鏡的方法及包含該反射鏡的投射曝光設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380013152.9 | 申請日： | 2013-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN104254891B | 公開（公告）日： | 2017-09-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | P.休伯;G.馮布蘭肯哈根 | 申請（專利權(quán)）人： | 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G21K1/06 | 分類號： | G21K1/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人： | 陳金林 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | euv 范圍 反射 制造 方法 包含 投射 曝光 設(shè)備 | ||
1.用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，對于0°和25°之間的至少一個(gè)入射角具有大于40％的反射率，包含：基板(S)和層布置，其中，所述層布置包含至少一個(gè)非金屬單獨(dú)層，所述非金屬單獨(dú)層包含阻擋層(B)、高折射率層(H)，
其中，所述層布置包含至少一個(gè)層子系統(tǒng)(P‘)，所述至少一個(gè)層子系統(tǒng)由至少兩個(gè)周期(P)的周期序列構(gòu)成，
其中，所述周期(P)包含由不同材料構(gòu)成的兩個(gè)單獨(dú)層，分別用于高折射率層(H)和低折射率層(L)，
其中，所述周期(P)的所述兩個(gè)單獨(dú)層(L，H)中的用于所述高折射率層(H)的一個(gè)的材料為硅，所述兩個(gè)單獨(dú)層(L,H)中的用于所述低折射率層(L)的另一個(gè)的材料為鉬或釕，以及其中，所述至少一個(gè)層子系統(tǒng)(P‘)的所述至少兩個(gè)周期(P)中的每一個(gè)中的所述兩個(gè)單獨(dú)層之間通過至少一個(gè)阻擋層(B)分隔開，所述阻擋層(B)由從以下材料組中選擇的材料中的一種或多種或由以下材料組構(gòu)成的化合物中的一種或多種材料構(gòu)成：B4C、C、Si氮化物、Si碳化物、Si硼化物、Mo氮化物、Mo碳化物、Mo硼化物、Ru氮化物、Ru碳化物和Ru硼化物，
其特征在于，所述非金屬單獨(dú)層摻雜有介于10ppb至10％之間的雜質(zhì)原子，使得所述非金屬單獨(dú)層獲得大于6×1010cm-3的電荷載流子密度和/或大于1×10-3S/m的電導(dǎo)率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，其中所述非金屬單獨(dú)層摻雜有介于100ppb至0.1％之間的雜質(zhì)原子，使得所述非金屬單獨(dú)層獲得大于6×1013cm-3的電荷載流子密度和/或大于1S/m的電導(dǎo)率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，其中所述非金屬單獨(dú)層還包含終止層(M)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，給所述至少一個(gè)非金屬單獨(dú)層摻雜雜質(zhì)原子是通過來自元素周期表的V族的至少一個(gè)元素的原子實(shí)現(xiàn)的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，所述層布置具有小于200nm的總厚度，所述層子系統(tǒng)(P‘)的高折射率層(H)摻雜有雜質(zhì)原子。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，在所述反射鏡的光學(xué)使用表面的位置處，在以來自所述EUV波長范圍的劑量大于10kJ/mm2的光照射之后，所述反射鏡的對于正入射的介于12nm和14nm之間反射光譜內(nèi)的平均反射波長與在12nm和14nm之間的光源平均發(fā)射波長偏離小于0.25nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，在所述反射鏡的光學(xué)使用表面的位置處，在以來自所述EUV波長范圍的劑量大于10kJ/mm2的光照射之后，所述反射鏡的對于正入射的介于12nm和14nm之間反射光譜內(nèi)的平均反射波長與在12nm和14nm之間的光源平均發(fā)射波長偏離小于0.15nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，包含EUV光源的聚光反射鏡和/或EUV照明系統(tǒng)的反射鏡，并且其中，所述平均反射波長與所述平均發(fā)射波長的偏離小于0.05nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，所述層子系統(tǒng)(P‘)的離所述基板最遠(yuǎn)的至少5個(gè)所述周期的由硅構(gòu)成的所有所述單獨(dú)層摻雜有介于10ppb與10％之間的雜質(zhì)原子。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，所述層子系統(tǒng)(P‘)的離所述基板最遠(yuǎn)的至少10個(gè)所述周期的由硅構(gòu)成的所有所述單獨(dú)層摻雜有介于10ppb與10％之間的雜質(zhì)原子。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于EUV波長范圍的反射鏡(1)，
其中，終止所述層布置的終止層(M)的表面粗糙度小于0.2nm rms HSFR。
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