[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器及感測(cè)參數(shù)確定方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380012977.9
• 申請(qǐng)日: 2013-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN104303160B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈震雷;威廉·H·拉德克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G06F12/00
• 分類號(hào): G06F12/00;G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 孫寶成

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及存儲(chǔ)器，且更特定來(lái)說(shuō)，在一或多個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明涉及確定快閃存儲(chǔ)器中的感測(cè)參數(shù)。

背景技術(shù)

通常將存儲(chǔ)器裝置提供為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲(chǔ)器，包含：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)及快閃存儲(chǔ)器。

快閃存儲(chǔ)器裝置已發(fā)展成用于廣泛范圍的電子應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器的流行來(lái)源。快閃存儲(chǔ)器裝置通常使用允許高存儲(chǔ)器密度、高可靠性及低功率消耗的單晶體管存儲(chǔ)器單元。通過(guò)編程電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(例如，浮動(dòng)?xùn)艠O或電荷陷阱)或其它物理現(xiàn)象(例如，相變或極化)，存儲(chǔ)器單元的閾值電壓的改變可確定每一單元的數(shù)據(jù)值。通常將所述單元分組成塊。可通過(guò)(例如)給電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)充電來(lái)電編程塊內(nèi)的每一單元。通過(guò)電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中的電荷的存在或不存在來(lái)確定此類型的單元中的數(shù)據(jù)。可通過(guò)擦除操作從電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)移除電荷。快閃存儲(chǔ)器的常見用途包含個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字媒體播放器、數(shù)字記錄器、游戲、電器、運(yùn)輸工具、無(wú)線裝置、蜂窩式電話及可抽換式存儲(chǔ)器模塊，且快閃存儲(chǔ)器的用途持續(xù)擴(kuò)展。

快閃存儲(chǔ)器通常利用名為NOR快閃及NAND快閃的兩種基本架構(gòu)中的一者。名稱衍生自用于讀取裝置的邏輯。在NOR快閃架構(gòu)中，將邏輯列的存儲(chǔ)器單元并聯(lián)耦合，每一存儲(chǔ)器單元都耦合到數(shù)據(jù)線(例如通常稱作為位線的那些數(shù)據(jù)線)。在NAND快閃架構(gòu)中，將一列存儲(chǔ)器單元串聯(lián)耦合，僅所述列的第一存儲(chǔ)器單元耦合到位線。

隨著電子系統(tǒng)的性能與復(fù)雜性的增加，對(duì)系統(tǒng)中的額外存儲(chǔ)器的需要也增加。然而，為了持續(xù)減小系統(tǒng)的成本，必須將零件計(jì)數(shù)保持在最小限度。這可通過(guò)增加集成電路的存儲(chǔ)器密度(通過(guò)使用例如多級(jí)存儲(chǔ)器單元(MLC)的技術(shù))來(lái)完成。舉例來(lái)說(shuō)，MLC NAND快閃存儲(chǔ)器為非常具成本效率的非易失性存儲(chǔ)器。

多級(jí)存儲(chǔ)器單元可通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)于傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器單元上的特定閾值電壓(Vt)范圍指派位模式來(lái)利用所述單元的模擬特性。此技術(shù)允許每一單元存儲(chǔ)兩個(gè)或兩個(gè)以上位，位的數(shù)目取決于經(jīng)指派到單元的電壓范圍的數(shù)量及在存儲(chǔ)器單元的使用期限操作期間經(jīng)指派的電壓范圍的穩(wěn)定性。

舉例來(lái)說(shuō)，可為單元指派每一范圍為200mV的四個(gè)不同電壓范圍。通常，每一范圍之間存在0.2V到0.4V的安全范圍以防止所述范圍重疊。如果存儲(chǔ)于單元上的電壓在第一范圍內(nèi)，那么所述單元處于第一數(shù)據(jù)狀態(tài)(表示(例如)邏輯11)，通常第一數(shù)據(jù)狀態(tài)被視為所述單元的擦除狀態(tài)。如果電壓在第二范圍內(nèi)，那么所述單元處于第二數(shù)據(jù)狀態(tài)(表示(例如)邏輯01)。不管對(duì)于單元使用了多少范圍，這一過(guò)程都可以對(duì)這些范圍繼續(xù)，條件是這些電壓范圍在存儲(chǔ)器單元的使用期限操作期間保持穩(wěn)定。

因MLC單元可處于兩個(gè)或兩個(gè)以上數(shù)據(jù)狀態(tài)中的一者，所以每一狀態(tài)的電壓范圍中的每一者的寬度可為非常重要的。所述寬度與存儲(chǔ)器電路的操作中的許多變量相關(guān)。為了正確讀取特定數(shù)據(jù)狀態(tài)，應(yīng)確定所述數(shù)據(jù)狀態(tài)的感測(cè)參數(shù)(例如，讀取電壓電平)。例如，讀取電壓電平可受到存儲(chǔ)器內(nèi)的經(jīng)編程為對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)狀態(tài)的存儲(chǔ)器單元的實(shí)際分布的寬度，閾值電壓噪聲、圍繞從一范圍到另一范圍的轉(zhuǎn)變點(diǎn)(也可稱作為交越點(diǎn))的波動(dòng)、閾值分布的寬度(即，厚尾分布(fat tail)，其為延伸進(jìn)入鄰近分布的分布，例如，與高斯分布相比較，所述分布的尾向外擴(kuò)張)及類似物的影響。

因例如上文所述的理由，且因其它理由(例如下文所述的那些理由)，在閱讀且理解本發(fā)明后，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白此項(xiàng)技術(shù)中尤其需要在確定存儲(chǔ)器的感測(cè)參數(shù)方面的改進(jìn)。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例的圖表；

圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例的圖表；及

圖4為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

在以下實(shí)施例的詳細(xì)描述中，參考形成本發(fā)明的一部分的附圖，且其中通過(guò)說(shuō)明的方式展示特定實(shí)施例(其中可實(shí)踐所述實(shí)施例)。足夠詳細(xì)地描述這些實(shí)施例以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明，且應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可利用其它實(shí)施例且可做出方法、電或機(jī)械改變。因此，不應(yīng)以限制意義理解以下詳細(xì)描述，且本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求書連同此類權(quán)利要求書有權(quán)具有的等效物的全部范圍界定。