[發(fā)明專利]基于源極跟隨器的電壓模式發(fā)送器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380012839.0
• 申請日: 2013-04-01
• 公開（公告）號: CN104170257A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·D·羅利;R·慕克侯帕德海
• 申請（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H04L25/02
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及發(fā)送器，并且更具體地涉及具有使用源極跟隨器的H橋的電壓模式發(fā)送器。

背景技術(shù)

圖1示出一種示例性常規(guī)驅(qū)動器100。運行時，控制器102向H橋104(其通常包括晶體管Q1-Q4和電容器C1和C2)提供互補驅(qū)動或者控制信號。具體地，這些互補信號被提供到晶體管對Q1和Q2(如圖所示，其為PMOS晶體管)和晶體管對Q3和Q4(如圖所示，其為NMOS晶體管)，從而產(chǎn)生用于電阻器R1和R2(其通常是阻抗匹配電阻器)和傳輸通道(未示出)的輸出信號。這表示控制器102向晶體管Q1和Q4提供邏輯高或“1”信號(并向晶體管Q2和Q3提供邏輯低或“0”信號)，從而建立一個電流路徑，反之建立另一個電流路徑。利用兩個中的任一個電流路徑，都會因使用晶體管Q5和Q6而存在損耗；即，由于晶體管Q5和Q6作為電流源運行，存在高輸出阻抗和緩慢響應(yīng)。因此，需要具有改進性能的驅(qū)動器。

常規(guī)電路的一些示例在美國專利號6917169、美國專利號5689144、美國預(yù)授權(quán)公開號2008/0252372和Krenzket等人在文章A?36-V?H-BRIDGE?DRIVER?INTERFACE?IN?A?STANDARD?0.35-μm?CMOS?PROCESS(標(biāo)準(zhǔn)0.35um?CMOS工藝中的36VH橋驅(qū)動器接口)(IEEE電路與系統(tǒng)國際研討會，2005年第4卷，2005年5月23-26日，第3651-3554頁)中描述。

發(fā)明內(nèi)容

在一個方面，本發(fā)明提供一種設(shè)備。

所描述的設(shè)備的實施方式包括第一電源導(dǎo)軌；第二電源導(dǎo)軌；H橋，該H橋具有：第一節(jié)點；第二節(jié)點；第三節(jié)點；第四節(jié)點；耦接在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間的第一開關(guān)；耦接在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間的第二開關(guān)；耦接在第二節(jié)點和第三節(jié)點之間的第三開關(guān)；以及耦接在第二節(jié)點和第四節(jié)點之間的第四開關(guān)；耦接到H橋的第一節(jié)點的第一源極跟隨器，其耦接到第一電源導(dǎo)軌，并被配置為接收第一基準(zhǔn)信號；以及耦接到H橋的第二節(jié)點的第二源極跟隨器，其耦接到第二電源導(dǎo)軌，并被配置為接收第二基準(zhǔn)信號。

在具體實現(xiàn)方式中，第一開關(guān)和第二開關(guān)可以還包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，其中第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的每個在其源極耦接到第一節(jié)點。第三開關(guān)和第四開關(guān)可以還包括第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的每個在其源極耦接到第二節(jié)點。第一源極跟隨器可以還包括第三NMOS晶體管，該第三NMOS晶體管在其源極和體電極(body)處耦接到第一節(jié)點，在其漏極耦接到第一電源導(dǎo)軌，并被配置為在其柵極接收第一基準(zhǔn)信號。第二源極跟隨器可以還包括第三PMOS晶體管，該第三PMOS晶體管在其源極和體電極處耦接到第二節(jié)點，在其漏極耦接到第二電源導(dǎo)軌，并被配置為在其柵極接收第二基準(zhǔn)信號。第三NMOS晶體管和第三PMOS晶體管是耗盡型晶體管。

在另一個方面，提供一種設(shè)備，該設(shè)備包括：第一電源導(dǎo)軌；第二電源導(dǎo)軌；發(fā)送器，該發(fā)送器包括：發(fā)送電路；H橋，該H橋具有：第一節(jié)點；第二節(jié)點；第三節(jié)點；第四節(jié)點；耦接在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間并被發(fā)送電路控制的第一開關(guān)；耦接在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間并被發(fā)送電路控制的第二開關(guān)；耦接在第二節(jié)點和第三節(jié)點之間并被發(fā)送電路控制的第三開關(guān)；以及耦接在第二節(jié)點和第四節(jié)點之間并被發(fā)送電路控制的第四開關(guān)；耦接到H橋的第一節(jié)點的第一源極跟隨器，其耦接到第一電源導(dǎo)軌并被配置為接收第一基準(zhǔn)信號；以及耦接到H橋的第二節(jié)點的第二源極跟隨器，其耦接到第二電源導(dǎo)軌并被配置為接收第二基準(zhǔn)信號；耦接在第三節(jié)點和第四節(jié)點的傳輸通道；以及耦接到互聯(lián)件的接收器。

在具體實現(xiàn)方式中，發(fā)送電路可以還包括：輸入電路；以及耦接到輸入電路和第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的柵極以及第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的柵極的寫入電路。傳輸通道可以還包括互聯(lián)件。接收器可以還包括磁頭。寫入電路可以還包括耦接到第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的柵極以及第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的柵極的驅(qū)動器。

附圖說明

圖1是常規(guī)H橋發(fā)送器的示例圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)圖。

圖3是圖2的系統(tǒng)的示例性實現(xiàn)方式圖。

圖4是圖2和圖3的系統(tǒng)的驅(qū)動器的示例圖。

圖5是圖1和圖4的驅(qū)動器的性能比較圖。

具體實施方式