[發明專利]放電間隙填充用組合物和靜電放電保護體

無效

• 申請號: 201380012316.6
• 申請日: 2013-02-15
• 公開（公告）號: CN104160568A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 大西美奈;石原吉滿;吉田俊輔
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H01T4/10
• 分類號: H01T4/10;H01B1/00;H01B1/22;H01T1/20;H01C7/12;H05F3/02;H05F3/04
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;楊光軍

1.一種放電間隙填充用組合物，其特征在于，含有金屬粉末(A1)、鋁粉末(A2)和粘合劑成分(B)，

所述金屬粉末(A1)是金屬的一次粒子表面的至少一部分被包含金屬醇鹽的水解生成物的膜被覆而成的粉末，

所述鋁粉末(A2)是鋁的一次粒子表面沒有被包含金屬醇鹽的水解生成物的膜被覆的粉末。

2.根據權利要求1所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，金屬粉末(A1)的金屬的一次粒子的形狀和鋁粉末(A2)的一次粒子的形狀都是薄片狀。

3.根據權利要求1或2所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，金屬粉末(A1)的金屬的一次粒子的平均粒徑為1～15μm，并且鋁粉末(A2)的一次粒子的平均粒徑為5～70μm。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，所述金屬粉末(A1)的金屬的金屬元素是選自錳、鈮、鋯、鉿、鉭、鉬、釩、鎳、鈷、鉻、鎂、鈦或鋁中的至少1種。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，所述金屬粉末(A1)的金屬的金屬元素為鋁。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，放電間隙填充用組合物中的金屬粉末(A1)與鋁粉末(A2)的質量比為98:2～20:80。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，所述金屬醇鹽以下述通式(1)來表示，

式(1)中，M為金屬原子，O為氧原子，R各自獨立地為碳原子數1～20的烷基，n為1～40的整數。

8.根據權利要求7所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，所述通式(1)中的M為硅、鈦、鋯、鉭或鉿。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，在所述金屬粉末(A1)和/或鋁粉末(A2)中的金屬的一次粒子表面形成有自氧化膜。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，所述粘合劑成分(B)含有熱固化性化合物或活性能量射線固化性化合物。

11.根據權利要求10所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，所述粘合劑成分(B)含有熱固化性聚氨酯樹脂。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的放電間隙填充用組合物，其特征在于，放電間隙填充用組合物的固體成分中的金屬粉末(A1)和金屬粉末(A2)的合計的含量為3～95質量％，粘合劑(B)的含量為5～97質量％。

13.一種靜電放電保護體，是至少具有2個電極、和所述2個電極間的放電間隙的靜電放電保護體，其特征在于，

具有將權利要求1～12中任一項所述的放電間隙填充用組合物填充到所述放電間隙而形成的放電間隙填充部件。

14.根據權利要求13所述的靜電放電保護體，其特征在于，所述放電間隙的寬度為300μm以上且1mm以下。

15.根據權利要求13或14所述的靜電放電保護體，其特征在于，在所述放電間隙填充部件的表面形成有保護層。

16.一種電子電路基板，具有權利要求13～15中任一項所述的靜電放電保護體。

17.一種撓性電子電路基板，具有權利要求13～15中任一項所述的靜電放電保護體。

18.一種IC芯片搭載用基板，具有權利要求13～15中任一項所述的靜電放電保護體。

19.一種電子設備，具有權利要求16所述的電子電路基板、權利要求17所述的撓性電子電路基板或權利要求18所述的IC芯片搭載用基板。