[發明專利]形成層的方法

有效

• 申請號: 201380012241.1
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN104321459B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: P·G·皮徹
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: C23C14/00
• 分類號: C23C14/00;C23C14/06;C23C14/22;H01J37/317;C23C14/48
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 何焜

背景技術

在許多薄膜應用中，在其上擬形成層的表面可包括若干不同的材料，一些是電絕緣的而一些是導電的；和/或若干不同的形貌。這類表面可能影響表面的充電效應并由此造成與包含帶電粒子的入射粒子束之間的不同的和可能未知的相互作用。當前利用的處理僅通過將電子束與離子束結合來補償構成束的帶電粒子，由此尋求具有零的凈電荷。

發明內容

一種形成層的方法，該方法包括：提供具有適于在其上作沉積的至少一個表面的襯底；提供前體離子束，該前體離子束包括離子；中和前體離子束的離子的至少一部分以形成中性粒子束，所述中性粒子束包括中性粒子；以及將中性粒子束引導朝向襯底表面，其中中性粒子具有不大于100eV的注入能量，并且粒子束的中性粒子在襯底上形成層。

一種形成層的方法，該方法包括：提供具有適于在其上作沉積的至少一個表面的襯底；提供前體離子束，該前體離子束包括離子；通過將前體離子束引向離子光柵而中和前體離子束的離子的至少一部分以形成改性的前體粒子束；以及將改性的前體粒子束引向高長寬比光柵以形成中性粒子束；以及將中性粒子束引向襯底的表面，其中中性粒子具有不大于100eV的注入能量，并且粒子束的中性粒子在襯底上形成層。

一種形成層的方法，該方法包括：提供具有適于在其上作沉積的至少一個表面的襯底；提供前體離子束，該前體離子束包括離子；將前體離子束引向質量選擇技術以形成經改性的前體粒子束；以及將改性的前體粒子束引向高長寬比光柵以形成中性粒子束；以及將中性粒子束引向襯底的表面，其中中性粒子具有不大于100eV的注入能量，并且粒子束的中性粒子在襯底上形成層。

本公開的上面概述不旨在描述本公開的每個公開的實施例或每個實施方式。下面的描述更具體地例示出說明性實施例。在貫穿本申請的若干位置，通過示例列表提供指引，所述示例列表可用于多種組合。在每種情形下，所引述的列表僅充當代表性組并且不應當被解釋成窮盡性列表。

附圖描述

圖1A示出示例性系統的說明性示圖；而圖1B示出圖1A所示系統的一部分的近視圖。

圖2是具體示例性系統中的束發散(°)相對于離子光柵的第三光柵的偏壓的曲線圖。

圖3示出示例性公開系統的示意圖。

圖4示出表面注入如何能夠通過插入和位移效應來調制表面密度。

圖5示出示例性分子離子的束擴展。

這些附圖不一定按比例示出。附圖中使用的相同附圖標記表示相同部件。然而，將理解在給定附圖中使用數字來指代部件不旨在限制用另一附圖中同一數字標記的部件。

具體實施方式

在以下描述中，參照形成本說明書一部分的附圖集，其中通過圖示示出了若干特定實施例。應當理解的是，可構想和作出其他實施例而不背離本公開內容的范圍或精神。因此，以下詳細描述不應按照限制的意義來理解。

通過術語“約”，在說明書和權利要求中使用的表示部件大小、量以及物理性質的所有數字應被理解為在任何情況下被修改，除非另外指明。因此，除非相反地指明，否則在上述說明書和所附權利要求中陳述的數值參數是近似值，這些近似值可根據利用本文中公開的示教的本領域技術人員所尋求的性質而變化。

通過端點對數值范圍的陳述包括包含在該范圍內的所有數值(例如1到5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4以及5)以及該范圍內的任何范圍。

如說明書以及所附權利要求書中所使用地，單數形式的“一”、“一個”以及“該”包括具有復數引用的實施例，除非該內容另外明確地指出。如本說明書和所附權利要求書中使用地，術語“或”一般以包括“和/或”的意思來使用，除非該內容明確地指出相反情形。

“包括”、“包含”或類似術語表示涵蓋但不限于，即包括并且非排他的。應當注意，“頂”和“底”(或者類似于“上”和“下”)被嚴格地利用于相對描述并且不暗示著所述要素被定位在其中的物品的任何總取向。