[發明專利]晶片蝕刻系統和使用所述晶片蝕刻系統的晶片蝕刻方法

無效

• 申請號: 201380012136.8
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN104246991A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 柳基龍;樸生萬;內山昌彥
• 申請（專利權）人: 羅澤系統株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/304
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

技術領域

本發明涉及一種晶片蝕刻系統和使用所述晶片蝕刻系統的晶片蝕刻方法，并且更具體而言，涉及下述的一種晶片蝕刻系統，所述晶片蝕刻系統通過在傳統的晶片磨削器與貼帶裝置之間串聯地安裝干蝕刻室和輸送室能夠平穩地制造和輸送薄晶片，所述貼帶裝置連接到用于保護和運送晶片的保護帶并連接到用于切割晶片的帶。

背景技術

電子裝置的小型化和高功能性應該通過集成電路的制造工藝來支持，并且薄晶片的制造工藝基本上是為了該目的而需要的。

通常，為了將晶片的厚度減小到30μm或者更薄，首先執行機械方法中的磨削電路板背面的背面磨削工序，并且執行化學機械拋光(CMP)工序以減小晶片的厚度。

然而，所述方法不僅具有由于機械接觸和摩擦熱造成晶片破裂、翹曲和熱損壞的問題，而且在施加小撞擊時還具有造成破裂的表面殘余應力。

此外，隨著晶片的厚度減小，諸如晶片運送、過程復雜等的問題會引起制造成本的增加。

因此，正在研發下述方法，根據該方法，在保護膜以特定厚度(即，100μm至200μm)連接到晶片的具有電路的表面的同時執行機械磨削，然后執行干刻蝕以減小厚度。

根據通常的干刻蝕工序，在幾豪托(mTorr)至幾百豪托的低壓力下使用為C_xF_y氣體或S_xF_y氣體的主反應氣體和為N₂、Ar、O₂等的副氣體的等離子源被應用于上部區域，并且幾十KHz至GHz的RF功率單獨地施加到下部夾頭，以產生引起化學反應的等離子，從而執行晶片刻蝕工序。

然而，通過傳統設備執行的上述蝕刻工序為低壓力工序，使得對厚晶片的蝕刻速度低，而降低生產率。

另外，用于使晶片非常薄的蝕刻工序中的一個重要因素是蝕刻工序中產生的高溫。在傳統的蝕刻工序中，為了冷卻在所述工序中被加熱的晶片，使用靜電夾頭(ESC)。在該蝕刻工序中，用于冷卻晶片的技術在每一個工序中的指標均不同，使得對于每一個晶片蝕刻設備應用不同的夾頭設計。

傳統地，夾頭具有圓盤形狀，所述圓盤形狀具有多個溝槽或者具有多個孔，以經由溝槽或多孔施加氦氣，以便冷卻加熱的晶片。

另一方面，當通過將RF功率施加到傳統夾頭上產生等離子時，存在在晶片與微小多孔或溝槽之間的空間中產生不希望有的等離子的問題，從而頻繁損壞晶片。

另外，與厚晶片不同，在薄晶片的情況下，使用起模針夾緊和松開的傳統方法會導致局部損壞問題。

此外，當輸送晶片時，存在晶片翹曲或下陷而使得晶片的輸送更加困難的問題。

發明內容

[本發明的目的]

因此，本發明的目的是提供一種晶片蝕刻系統和使用所述晶片蝕刻系統的晶片蝕刻方法，所述晶片蝕刻系統能夠完成貼帶過程，以使得具有貼附有保護膜的集成電路的晶片的背面被機械磨削之后容易輸送，并將晶片輸送到等離子蝕刻設備，且蝕刻晶片以使晶片更薄。

本發明的另一個目的是提供一種晶片蝕刻系統和使用所述晶片蝕刻系統的晶片蝕刻方法，所述晶片蝕刻系統能夠運送具有厚度減薄的磨削晶片，以便在輸送磨削后的晶片時不會損壞磨削的晶片。

[技術方案]

根據本發明的晶片蝕刻系統可以包括：晶片磨削裝置，所述晶片磨削裝置機械蝕刻晶片；對準器，所述對準器對準通過晶片磨削裝置蝕刻的晶片；干蝕刻裝置，所述干蝕刻裝置再次蝕刻通過對準器對準的晶片；晶片輸送裝置，所述晶片輸送裝置在對準器與干蝕刻裝置之間輸送晶片；貼帶裝置，所述貼帶裝置對通過干蝕刻裝置蝕刻的晶片執行貼帶工序，使得晶片蝕刻系統能夠在消除機械蝕刻所產生的殘留在晶片中的應力的同時減小晶片的厚度。