[發明專利]具有反射器的雙面晶體硅太陽能板

有效

• 申請號: 201380011923.0
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN104272466B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: I·朔伊洛夫
• 申請（專利權）人: 貝克陽光公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/048;H01L31/068;H01L31/05
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 申發振

本專利申請要求根據35 USC§119(e)享有2012年2月29日提交的申請號為61/604517的題為“具有反射器和V2O5的雙面c-Si太陽能板”的美國臨時申請，以及2012年5月19日提交的申請號為61/649236的題為“具有反射器和多種接口材料的雙面c-Si太陽能板”作為優先權。上述提及的每個專利以全文引用的形式結合在此。

背景技術

光伏板(“太陽能板”)可以用于將太陽光轉換成電能。有多種技術用于制造光伏板，包括基于單晶硅晶片的、基于多晶硅晶片的和基于薄膜硅的。很多市售的光伏板制作成僅一個側面暴露在太陽光下。

發明內容

概括地說，本發明涉及一種改進的光伏太陽能電池系統及其方法。在一種方案中，雙面太陽能電池包括耦接到一個n型半導體層的p型晶體硅層。雙面太陽能電池可以包括耦接至n型半導體層的多個第一金屬導線。至少一些所述第一金屬導線可與n型半導體層電連通。雙面太陽能電池可以包括耦接到所述p型晶缽硅層的阻擋層。阻擋層可包括釩氧化物，鉬氧化物，鋁氮化物，鎢鎳氧化物和硼摻雜金剛石中的一種或多種。在一個實施例中，阻擋層的厚度可從1.0納米到10.0納米。在其它實施例中，阻擋層的厚度可從2.0納米到6.0納米。雙面太陽能電池可以包括耦接到所述阻擋層的透明導電層。雙面太陽能電池可以包括多個耦接到所述透明導電層的第二金屬導線。至少一些所述第二金屬導線可以與透明導電層電連通。雙面太陽能電池還可以包括耦接到所述n型半導體層的第一側上并設置在所述多個第一金屬導線之間的鈍化層。

本發明還公開了具有太陽能板和所述至少一個反射器的光伏系統。所述太陽能板包括太陽能電池，其中至少有一些是雙面太陽能電池。該太陽能電池被布置在所述板中，以形成至少兩行。太陽能電池中的第一行可串聯電連接。太陽能電池中的第一行可以具有第一長軸。太陽能電池的第二行可串聯電連接。太陽能電池的第二行可以具有與第一長軸一致的第二長軸。太陽能電池的第一行可以并聯電連接到太陽能電池單元的第二行。所述反射器位于太陽能板附近。所述反射器包括面向所述太陽能板的反射表面。在一個實施例中，所述反射表面可以具有與第一和第二長軸一致的第三長軸。在一個實施例中，所述第三長軸與所述第一和第二長軸形成從5°到負5°的夾角角度。反射表面可以包括鋁，銀，和/或一種白色材料中的至少一種。在一個實施例中，所述反射表面可以具有復合拋物線形輪廓。在其它實施例中，反射表面可以具有半圓形的輪廓，或包含平坦表面的輪廓。太陽能板可進一步包括第一透明保護層和/或第二透明保護層。太陽能板中的太陽能電池可以被布置在第一透明保護層和所述第二透明保護層之間。所述第一透明保護層可以經由第一層壓層耦接到所述雙面太陽能電池的多個第一金屬導線。第二透明保護層可以經由第二層壓層耦接到所述雙面太陽能電池的多個第二金屬導線。

這些和其他方面和優點，以及這種新技術的新穎性特征將列于說明書的下面部分，并且結合下面的說明書和附圖，對于本領域技術人員來說將變得清楚，或者通過實踐本發明所披露的技術的一個或多個實施例來獲知。

附圖說明

圖1是光伏系統的一個實施例的示意性透視圖，其示出了雙面太陽能電池之間的電連接。

圖2是一個局部截面圖，其示意性地示出了圖1中的光伏系統。

圖3是圖1的光伏系統的示例性雙面太陽能電池的截面示意圖。

圖4是圖1的光伏系統的示意性透視圖。

圖5是雙面太陽能電池的另一個實施例的示意圖，其具有可選的、高度摻雜的p型半導缽層。

圖6是包括具有復合拋物線輪廓的反射器的光伏系統的透視圖。

圖7是包括具有三角形輪廓反射器的光伏系統的另一個實施例的示意性透視圖。

圖8是包括具有梯形輪廓反射器的光伏系統的另一個實施例的示意性透視圖。

圖9是包括反射器的光伏系統的另一個實施例的示意性透視圖，其中反射器具有包括平面表面的輪廓。

具體實施方式

下面將詳細地參考附圖，這至少有助于說明由本發明提供的新技術的多種相關的實施方案。