[發(fā)明專利]ESD保護(hù)器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380011683.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104145386A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鷲見高弘;足立淳;筑澤孝之;石川久美子 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào): | H01T2/02 | 分類號(hào): | H01T2/02;H01T1/20;H01T4/10;H01T4/12 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | esd 保護(hù) 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種ESD保護(hù)器件,其特征在于,包括:
第一及第二放電電極,該第一及第二放電電極配置成彼此相對(duì);
放電輔助電極,該放電輔助電極形成為橫跨在所述第一及第二放電電極間;以及
絕緣體基材,該絕緣體基材對(duì)所述第一及第二放電電極和所述放電輔助電極進(jìn)行保持,
所述放電輔助電極由具有核殼結(jié)構(gòu)的多個(gè)金屬粒子的集合體構(gòu)成,所述核殼結(jié)構(gòu)由以第一金屬為主要成分的核部、及以包含第二金屬的金屬氧化物為主要成分的殼部構(gòu)成,
所述殼部至少有一部分存在空孔。
2.如權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
所述核部在所述空孔附近具有凹陷。
3.如權(quán)利要求1或2所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
所述多個(gè)金屬粒子的集合體包含將多個(gè)所述金屬粒子間進(jìn)行結(jié)合的含玻璃質(zhì)物質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
所述殼部的厚度為50~1500nm。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
所述第二金屬比所述第一金屬更容易發(fā)生氧化。
6.如權(quán)利要求5所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
所述第一金屬是銅或以銅為主要成分的銅類合金。
7.如權(quán)利要求5或6所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
包含所述第二金屬的所述金屬氧化物是從氧化鋁、氧化硅、氧化鎂及氧化鎳中所選出的至少一種。
8.如權(quán)利要求5至7的任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
所述核部含有所述第二金屬作為次要成分。
9.如權(quán)利要求1至8的任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)器件,其特征在于,
所述第一及第二放電電極和所述放電輔助電極配置于所述絕緣體基材的內(nèi)部,所述絕緣體基材具有對(duì)所述第一及第二放電電極間的所述間隙進(jìn)行配置的空洞,
所述ESD保護(hù)器件還包括第一及第二外部端子電極,該第一及第二外部端子電極形成在所述絕緣體基材的表面上,且分別與所述第一及第二放電電極進(jìn)行電連接。
10.一種ESD保護(hù)器件的制造方法,其特征在于,包括:
準(zhǔn)備合金粉末的工序,所述合金粉末由包含第一金屬及比所述第一金屬更容易發(fā)生氧化的第二金屬的合金構(gòu)成;
準(zhǔn)備絕緣體基材的工序;
在所述絕緣體基材的表面或內(nèi)部形成包含所述合金粉末的未燒成的放電輔助電極的工序;
在所述絕緣體基材的表面或內(nèi)部形成第一及第二放電電極的工序,所述第一及第二放電電極以彼此相對(duì)的方式配置于所述放電輔助電極上;以及
將所述未燒成的放電輔助電極進(jìn)行燒成的工序,
所述進(jìn)行燒成的工序包括對(duì)構(gòu)成所述合金粉末的各合金粒子進(jìn)行以下處理的工序:
在具有使所述第一金屬不發(fā)生氧化而所述第二金屬發(fā)生氧化的氧濃度的氣氛下進(jìn)行熱處理的工序,以使所述第二金屬向該合金粒子的表面移動(dòng),并在到達(dá)表面的時(shí)刻發(fā)生氧化,從而成為包含所述第二金屬的金屬氧化物,以該金屬氧化物為主要成分而形成殼部,并且,以所述第二金屬向所述合金粒子的表面移動(dòng)而殘留下來的所述第一金屬為主要成分而形成核部;
接著,進(jìn)行熱處理的工序,使得以所述第一金屬為主要成分的核部與以包含所述第二金屬的金屬氧化物為主要成分的殼部相接合;
然后,進(jìn)行降溫工序,使以所述第一金屬為主要成分的核部發(fā)生的收縮大于以包含所述第二金屬的金屬氧化物為主要成分的殼部發(fā)生的收縮,從而在所述殼部?jī)?nèi)形成空孔。
11.如權(quán)利要求10所述的ESD保護(hù)器件的制造方法,其特征在于,
準(zhǔn)備所述合金粉末的工序包含使用噴霧法來制造所述合金粉末的工序。
12.如權(quán)利要求10或11所述的ESD保護(hù)器件的制造方法,其特征在于,
準(zhǔn)備所述絕緣體基材的工序包含準(zhǔn)備多個(gè)陶瓷生片的工序,所述多個(gè)陶瓷生片包含第一及第二陶瓷生片,
在所述第一陶瓷生片上實(shí)施形成所述未燒成的放電輔助電極的工序以及形成所述第一及第二放電電極的工序,
所述ESD保護(hù)器件的制造方法還包括:
以覆蓋所述第一及第二放電電極間的間隙的方式形成燒去層的工序;
以覆蓋所述未燒成的放電輔助電極、所述第一及第二放電電極以及所述燒去層的方式在所述第一陶瓷生片上層疊所述第二陶瓷生片以獲得未燒成的所述絕緣體基材的工序;以及
在所述絕緣體基材的表面上形成分別與所述第一及第二放電電極進(jìn)行電連接的第一及第二外部端子電極的工序,
所述進(jìn)行燒成的工序包括使所述陶瓷生片燒結(jié)而獲得所述絕緣體基材的工序、以及燒去所述燒去層的工序。
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