[發(fā)明專利]納米器件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380011440.0
• 申請(qǐng)日: 2013-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN104303313B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 真島豐;寺西利治;松本和彥;前橋兼三;東康男;大野恭秀;前田幸祐;葛姆胡博特福德瑞克·哈格唄魯杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)立研究開發(fā)法人科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/66;H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 梁海蓮,余明偉

1.一種納米器件，其特征在于，包括：

第一絕緣層；

一方的電極以及另一方的電極，其以具有納米間隙的方式設(shè)置在所述第一絕緣層上；

金屬納米粒子，其配置于所述一方的電極以及所述另一方的電極之間；

第二絕緣層，其設(shè)置于所述第一絕緣層、所述一方的電極以及所述另一方的電極上，并埋設(shè)有所述金屬納米粒子；

一個(gè)或者多個(gè)側(cè)邊柵電極，其在相對(duì)于所述一方的電極以及所述另一方的電極的配置方向交叉的方向上，設(shè)置于所述第一絕緣層上，并且由所述第二絕緣層覆蓋；以及

頂柵電極，其設(shè)置在所述第二絕緣層上，

所述金屬納米粒子的周圍設(shè)置有烷烴硫醇的保護(hù)基，

在所述金屬納米粒子與所述一方的電極之間、所述金屬納米粒子與所述另一方的電極之間存在作為所述第二絕緣層的一部分的單分子膜，

通過作為所述金屬納米粒子的保護(hù)基的烷烴硫醇與構(gòu)成所述單分子膜的單分子的欠損部的化學(xué)結(jié)合，使所述金屬納米粒子與所述一方的電極以及所述另一方的電極絕緣，所述金屬納米粒子配置在所述一方的電極以及所述另一方的電極之間。

2.如權(quán)利要求1所述的納米器件，其特征在于，

所述第二絕緣層由SiN、SiO、SiON、Si₃N₄、SiO₂、Al₂O₃、MgO中的任意一種形成。

3.如權(quán)利要求1所述的納米器件，其特征在于，在所述一方的電極與所述另一方的電極的間隙之間并在剖視圖中，所述金屬納米粒子配置在所述一方的電極以及所述另一方的電極的厚度的中央或者比所述一方的電極以及所述另一方的電極的厚度的中央靠上方的位置，并固定在第二絕緣層中。

4.一種納米器件，其特征在于，包括：

第一絕緣層；

一方的電極以及另一方的電極，其以具有納米間隙的方式設(shè)置在所述第一絕緣層上；

功能分子，所述功能分子選自具有π共軛系骨架的分子或者寡聚物，配置于所述一方的電極以及所述另一方的電極之間；

第二絕緣層，其設(shè)置于所述第一絕緣層、所述一方的電極以及所述另一方的電極上，并埋設(shè)有所述功能分子；

一個(gè)或者多個(gè)側(cè)邊柵電極，其在相對(duì)于所述一方的電極以及所述另一方的電極的配置方向交叉的方向上，設(shè)置于所述第一絕緣層上，并且由所述第二絕緣層覆蓋；以及

頂柵電極，其設(shè)置在所述第二絕緣層上，

所述功能分子包含用于固定在所述一方的電極以及所述另一方的電極的錨定部。

5.如權(quán)利要求4所述的納米器件，其特征在于，

所述第二絕緣層由SiN、SiO、SiON、Si₃N₄、SiO₂、Al₂O₃、MgO中的任意一種形成。

6.一種集成電路，其特征在于，通過如權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的納米器件與電子器件形成于半導(dǎo)體基板上而形成。