[發明專利]粘合帶用薄膜及粘合帶

有效

• 申請號: 201380011400.6
• 申請日: 2013-02-08
• 公開（公告）號: CN104144784B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 由藤拓三;鈴木俊隆;白井稚人;安藤雅彥;關口裕香;淺井量子;遠藤明日香;林內梨惠
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: B32B27/00
• 分類號: B32B27/00;C09J7/02;C09J133/00;H01L21/301
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及粘合帶用薄膜及粘合帶。

背景技術

對于半導體的切割中使用的粘合帶，在切割時為了固定晶圓，需要將與晶圓密合面相反的面固定在底座上。這種固定通常通過真空吸附等的負壓來進行。

在進行這種利用負壓的固定時，由于過度施加了負壓的狀態、因切割時的發熱導致的粘合帶的熔融，有時粘合帶與底座過度密合。若出現這種過度密合，在解除與底座的固定時的處理性變差，產生例如包括切割在內的半導體制造工序不能順利進行下去這樣的問題。

為了消除這種過度密合的問題，報道有如下的技術：在由基材薄膜和粘合劑層這兩層形成的晶圓表面保護帶中，將基材薄膜的與粘合劑層相反的表面的中心線表面粗糙度Ra控制為規定的大小(專利文獻1)。

但是，對于在半導體的切割中使用的粘合帶的基材薄膜而言，要求半導體制造工藝特有的擴展(拉伸)特性和高度差追隨特性。即，在半導體的切割中使用的粘合帶的基材薄膜需要在擴展工序中能夠良好地拉伸，另外，需要良好地追隨半導體的高度差。作為符合這樣的要求的基材薄膜，選擇由伸長率大的材料形成的基材薄膜。但是，這種基材薄膜的表面狀態容易受到溫度的影響。因此，即使像專利文獻1所報道的那樣將基材薄膜的表面的中心線表面粗糙度Ra控制為規定的大小，也存在如下的問題：由于氣溫、工藝裝置的溫度變化，被控制為規定的大小的中心線表面粗糙度Ra大幅變化，無法表現出專利文獻1中記載的發明的效果。

例如，在切割時，尤其在激光切割時，由于激光加工帶來的能量而晶圓發熱。若像這樣晶圓發熱，則還存在即使像專利文獻1所報道的那樣將基材薄膜的表面的中心線表面粗糙度Ra控制為規定的大小，上述那樣的過度密合的問題也無法消除，甚至會促進過度密合這樣的問題。

另外，近年，半導體的切割中使用的晶圓的尺寸在大型化，因此切割的時間變長，其結果，晶圓的發熱變大，上述問題變得更加突出。

半導體的切割中，尤其在LED切割中，使用的半導體晶圓是由氮化鎵、砷化鎵、碳化硅等非常脆的材料構成的，因此為了防止該半導體晶圓的破損，要求粘合帶的基材薄膜有進一步的擴展(拉伸)特性和高度差追隨特性。因此，用于LED切割的粘合帶中，上述問題變得更加突出。

另外，通常薄膜表面平滑，若將這樣的薄膜加工成卷狀，則發生薄膜彼此接觸而密合的現象，即粘連。在產生了粘連的卷中，有時發生將薄膜進行退卷的操作變困難等不便。尤其，在伸長率大的薄膜中，通常添加有增塑劑。在這樣的薄膜中，增塑劑在薄膜表面析出，從而薄膜間的微小空隙被填埋，因此，粘連導致的不良影響變明顯。對薄膜表面實施利用粘合劑的粘合加工時，由于該粘合劑本身具有密合性，因此，粘連的不良影響變得更大。

將粘連的卷狀的薄膜進行退卷時，需要多余的、用于解除薄膜彼此的密合的力。由于施加這種多余的力，薄膜伸長而變形，或者即使薄膜不變形也以應力應變的形式蓄積。若將因如上所述的原因而變形的薄膜應用于粘合帶，則難以追隨被粘物地貼合。另外，若將因如上所述的原因而蓄積了應力應變的薄膜應用于粘合帶，則由于貼合于被粘物之后產生該應力應變的自然釋放，有被粘物破損的擔心。

在半導體加工中使用粘合帶時，作為被粘物的半導體晶圓由脆性的材料構成，因此會發脆或者容易有缺損。因此，若將因如上所述的原因而變形的薄膜應用于粘合帶，則難以追隨半導體晶圓的微細精致的電路圖案而貼合。另外，若將因如上所述的原因而蓄積了應力應變的薄膜應用于粘合帶，則貼合于半導體晶圓之后產生該應力應變的自然釋放，半導體晶圓容易破損。

尤其，用于LED的晶圓是由氮化鎵、砷化鎵、碳化硅等非常脆的材料構成的。因此，用于LED切割等的粘合帶中的防粘連變得特別重要。

作為防粘連的現有技術，可以大致列舉出兩種技術。

一種現有技術可列舉出在薄膜的背面實施壓花加工等物理處理的技術(專利文獻2)。但是，在該技術中，在薄膜的背面形成的凹凸成為應力集中結構，因此在從卷狀的形態退卷時，存在因退卷力而薄膜以該凹凸為起點發生斷裂或破損這樣的問題。