[發明專利]銀離子擴散抑制層形成用組成物、銀離子擴散抑制層用膜及其應用

有效

• 申請號: 201380011207.2
• 申請日: 2013-01-16
• 公開（公告）號: CN104136548B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 三田村康弘;中山昌哉;松並由木
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: C08L101/00
• 分類號: C08L101/00;B32B15/08;C08K5/3447;C08K5/3472;C08K5/46;H05K1/03;H05K3/28
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 臧建明

1.一種銀離子擴散抑制層形成用組成物，其含有：

絕緣樹脂；以及

化合物，其具有：

選自由三唑結構、噻二唑結構及苯并咪唑結構所組成的組群中的結構；

巰基；以及

一個以上的可含有雜原子的烴基，

且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。

2.根據權利要求1所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述化合物為式(1)～式(3)的任一個所表示的化合物，

(式(1)中，R₁及R₂分別獨立地表示氫原子或可含有雜原子的烴基，R₁及R₂的至少一個表示所述烴基，R₁及R₂的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上；

式(2)中，R₃表示可含有雜原子的烴基，R₃中所含的碳原子數為5以上；

式(3)中，R₄～R₇分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可含有雜原子的烴基，R₄～R₇的至少一個表示所述烴基，R₄～R₇的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上)。

3.根據權利要求1或2所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為含有選自由下述式(B-1)～式(B-7)所組成的組群中的至少一種基團的烴基(而且，亦可為下述式(B-1)～式(B-7)中的多個*的一個直接鍵結于選自由所述三唑結構、所述噻二唑結構及所述苯并咪唑結構所組成的組群中的結構的烴基)，

(式(B-1)～式(B-7)中，X_a為選自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所組成的組群中的原子；多個X_a可相同亦可不同；X_b為氧原子或硫原子；多個X_b可相同亦可不同；*表示鍵結位置)。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的銀離子擴散抑制層形成用組成物，其中所述烴基為-S-R_q所表示的基團(R_q表示可具有-COO-或-CON＜的碳數1～30的烴基)。

6.一種銀離子擴散抑制層用膜，其含有：

絕緣樹脂；以及

化合物，其具有：

選自由三唑結構、噻二唑結構及苯并咪唑結構所組成的組群中的結構；

巰基；以及

一個以上的可含有雜原子的烴基，

且所述烴基中的碳原子的合計數(而且，在具有多個所述烴基的情形時，為各烴基中的碳原子數的合計數)為5以上。

7.根據權利要求6所述的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述化合物為式(1)～式(3)的任一個所表示的化合物，

(式(1)中，R₁及R₂分別獨立地表示氫原子或可含有雜原子的烴基，R₁及R₂的至少一個表示所述烴基，R₁及R₂的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上；

式(2)中，R₃表示可含有雜原子的烴基，R₃中所含的碳原子數為5以上；

式(3)中，R₄～R₇分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可含有雜原子的烴基，R₄～R₇的至少一個表示所述烴基，R₄～R₇的各基團中所含的碳原子數的合計數為5以上)。

8.根據權利要求6或7所述的銀離子擴散抑制層用膜，其中所述烴基為含有三級碳原子及/或四級碳原子的烴基。