[發(fā)明專利]修復(fù)和/或保護(hù)反應(yīng)器中表面的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380010957.8
• 申請(qǐng)日: 2013-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104136138B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 布拉德·詹森·沃納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 赫姆洛克半導(dǎo)體運(yùn)營(yíng)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): B05D7/22
• 分類號(hào): B05D7/22;B01J19/02;B05D7/00;B05D3/02;B05D3/04;B05D5/00
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 牟靜芳,鄭霞

1.一種在反應(yīng)器的組件的表面上形成異質(zhì)保護(hù)層的方法，其中所述異質(zhì)保護(hù)層包含硅，所述方法包括以下步驟：

提供一種用于形成所述異質(zhì)保護(hù)層的聚合物組合物；

提供所述組件，其中所述組件的表面包含石墨、碳纖維強(qiáng)化碳(CFRC)或它們的組合；

在所述組件的所述表面上施加所述聚合物組合物以形成固化前涂層；并且

加熱所述固化前涂層以形成所述異質(zhì)保護(hù)層；

其中在加熱所述固化前涂層的過(guò)程中，所述組件的所述表面存在于所述反應(yīng)器內(nèi)；其中所述固化前涂層通過(guò)將氣體組合物送入所述反應(yīng)器內(nèi)而加熱；

其中反應(yīng)器環(huán)境的所述氣體組合物：

i)包含三氯硅烷、四氯化硅或它們的組合；以及任選地

ii)還包含氫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在施加所述聚合物組合物的過(guò)程中，所述組件的所述表面也存在于所述反應(yīng)器內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述聚合物組合物包含聚碳硅烷和/或聚硅氮烷。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中：

i)所述聚碳硅烷為烯丙基氫化聚碳硅烷；和/或

ii)所述異質(zhì)保護(hù)層包含碳化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中：

i)所述聚硅氮烷為全氫聚硅氮烷；和/或

ii)所述異質(zhì)保護(hù)層包含氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述聚合物組合物還包含用于進(jìn)一步形成所述異質(zhì)保護(hù)層的填料，并且其中所述填料：

i)包含碳化硅、氮化硅或它們的組合；和/或

ii)在所述聚合物組合物中，基于100重量份的所述聚合物組合物計(jì)，以1至80重量份的量存在。

7.根據(jù)權(quán)利要求4至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述聚合物組合物還包含用于進(jìn)一步形成所述異質(zhì)保護(hù)層的填料，并且其中所述填料：

i)包含碳化硅、氮化硅或它們的組合；和/或

ii)在所述聚合物組合物中，基于100重量份的所述聚合物組合物計(jì)，以1至80重量份的量存在。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，其中：

i)在第一溫度(T1)下將所述聚合物組合物施加至所述組件的所述表面并且將所述固化前涂層加熱至大于第一溫度(T1)的第二溫度(T2)；以及任選地

ii)第二溫度(T2)為100℃至1750℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

i)所述組件包含基底層和設(shè)置在所述基底層上方的預(yù)成形保護(hù)層，其中所述基底層包含碳并且所述預(yù)成形保護(hù)層包含硅；

ii)所述組件的所述表面的所述預(yù)成形保護(hù)層定義至少一個(gè)腔體，并且其中施加所述聚合物組合物，使得所述預(yù)成形保護(hù)層的所述至少一個(gè)腔體至少部分地用所述異質(zhì)保護(hù)層填充；

iii)所述組件的所述表面的所述預(yù)成形保護(hù)層包含碳化硅、氮化硅或它們的組合；和/或

iv)所述組件的所述表面的所述基底層包含石墨、碳纖維強(qiáng)化碳(CFRC)或它們的組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，還包括在加熱所述固化前涂層之前在所述反應(yīng)器中建立惰性環(huán)境的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，其中通過(guò)噴涂、刷涂、刮涂、澆涂、輥涂、浸涂、抹涂、摩擦、擦涂或它們的組合將所述聚合物組合物施加至所述組件的所述表面，并且/或者其中所述反應(yīng)器中的所述組件為交換器、分離器、加熱器、腔室表面或它們的組合。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，其中將第一聚合物組合物施加至所述組件的所述表面以形成第一固化前層并且將不同于所述第一聚合物組合物的第二聚合物組合物施加至所述第一固化前層以形成第二固化前層，并且其中所述第一和第二固化前層中的兩者均加熱以形成所述異質(zhì)保護(hù)層，或者其中所述異質(zhì)保護(hù)層的平均厚度為大于0.1密耳。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，其中將第一聚合物組合物施加至所述組件的所述表面以形成第一固化前層并且將不同于所述第一聚合物組合物的第二聚合物組合物施加至所述第一固化前層以形成第二固化前層，并且其中所述第一和第二固化前層中的兩者均加熱以形成所述異質(zhì)保護(hù)層，或者其中所述異質(zhì)保護(hù)層的平均厚度為0.1至10密耳。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述反應(yīng)器用于制備：

i)多晶硅，其中所述多晶硅包含三氯硅烷和氫氣的反應(yīng)產(chǎn)物；或者

ii)三氯硅烷，其中所述三氯硅烷包含四氯化硅和氫氣的反應(yīng)產(chǎn)物。