[發明專利]配置中的除污及剝除處理腔室有效
| 申請號: | 201380010918.8 | 申請日: | 2013-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN104137248B | 公開(公告)日: | 2017-03-22 |
| 發明(設計)人: | M·J·薩里納斯;P·B·路透;A·恩蓋耶;J·A·里 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/677;H01L21/8238 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 配置 中的 剝除 處理 | ||
1.一種負載鎖定腔室,包括:
腔室主體組件,所述腔室主體組件界定了彼此隔離的第一腔室容積與第二腔室容積,其中所述第一腔室容積透過兩個開口而選擇性地可連接至兩個環境,所述兩個開口被配置來用于基板轉移,且所述第二腔室容積選擇性地連接至所述兩個環境的至少一者;
冷卻基板支撐組件,所述冷卻基板支撐組件設置在所述第一腔室容積中并且被配置來支撐且冷卻所述冷卻基板支撐組件上的基板;
加熱基板支撐組件,所述加熱基板支撐組件設置在所述第二腔室容積中并且被配置來支撐所述加熱基板支撐組件上的基板;及
氣體分配組件,所述氣體分配組件設置在所述第二腔室容積中并且被配置來提供處理氣體到所述第二腔室容積,以用于處理設置在所述第二腔室容積中的所述基板。
2.如權利要求1所述的負載鎖定腔室,進一步包括升舉銷組件,所述升舉銷組件可相對于所述冷卻基板支撐組件而移動,其中所述升舉銷組件被配置來在所述冷卻基板支撐組件與外部基板處理裝置之間轉移基板。
3.如權利要求2所述的負載鎖定腔室,其特征在于,所述腔室主體組件另外界定了第三腔室容積,所述第三腔室容積透過兩個開口而選擇性地可連接至所述兩個環境,且所述第二腔室容積垂直堆迭于所述第一腔室容積與所述第二腔室容積之間。
4.如權利要求3所述的負載鎖定腔室,進一步包括基板支撐組件,所述基板支撐組件設置在所述第三腔室容積中。
5.如權利要求2所述的負載鎖定腔室,進一步包括基板支撐隔板,所述基板支撐隔板可移動地設置在所述第一腔室容積中的所述冷卻基板支撐組件之上。
6.如權利要求5所述的負載鎖定腔室,進一步包括升舉組件,所述升舉組件被同時配置至所述升舉銷組件與所述基板支撐隔板。
7.如權利要求6所述的負載鎖定腔室,其特征在于,所述升舉組件包括:
軸,所述軸適于被馬達旋轉;
第一螺紋構件,所述第一螺紋構件耦接于所述軸與所述升舉銷組件之間;及
第二螺紋構件,所述第二螺紋構件耦接于所述軸與所述基板支撐隔板之間,其中所述軸的旋轉使所述第一螺紋構件與所述第二螺紋構件垂直移動。
8.如權利要求7所述的負載鎖定腔室,其特征在于,所述升舉組件以不同的速度來移動所述基板支撐隔板與所述升舉銷組件。
9.如權利要求7所述的負載鎖定腔室,其特征在于,所述基板支撐隔板包括:
環;及
柱,所述柱附接至所述環,其中所述柱耦接至所述第二螺紋構件。
10.一種雙負載鎖定腔室,包括:
第一負載鎖定腔室與第二負載鎖定腔室,相鄰地設置在單一腔室主體組件中,其中所述第一負載鎖定腔室與所述第二負載鎖定腔室的每一者包括:
彼此隔離的第一腔室容積與第二腔室容積,其中所述第一腔室容積透過兩個開口而選擇性地可連接至兩個環境,所述兩個開口被配置來用于基板轉移,且所述第二腔室容積選擇性地連接至所述兩個處理環境的至少一者;
冷卻基板支撐組件,所述冷卻基板支撐組件設置在所述第一腔室容積中并且被配置來支撐且冷卻所述冷卻基板支撐組件上的基板;
加熱基板支撐組件,所述加熱基板支撐組件設置在所述第二腔室容積中并且被配置來支撐所述加熱基板支撐組件上的基板;及
氣體分配組件,所述氣體分配組件設置在所述第二腔室容積中并且被配置來提供處理氣體到所述第二腔室容積,以用于處理設置在所述第二腔室容積中的所述基板。
11.如權利要求10所述的雙負載鎖定腔室,其特征在于,所述第一負載鎖定腔室與所述第二負載鎖定腔室的每一者具有第三腔室容積,所述第三腔室容積透過兩個開口而選擇性地可連接至所述兩個環境,且所述第二腔室容積垂直堆迭于所述第一腔室容積與所述第二腔室容積之間。
12.如權利要求10所述的雙負載鎖定腔室,其特征在于,所述第一負載鎖定腔室與所述第二負載鎖定腔室的每一者進一步包括基板支撐隔板,所述基板支撐隔板可移動地設置在所述第一腔室容積中的所述冷卻基板支撐組件之上。
13.如權利要求11所述的雙負載鎖定腔室,進一步包括真空泵,所述真空泵耦接至所述第一負載鎖定腔室與所述第二負載鎖定腔室的所述第二腔室容積與所述第三腔室容積。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





