無效
| 申請號: | 201380010738.X | 申請日: | 2013-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN104137271A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 克勞斯·施倫佩爾;迪特爾·伯格曼;沃爾克·布羅德 | 申請(專利權)人: | 米爾鮑爾股份公司 |
| 主分類號: | H01L31/0392 | 分類號: | H01L31/0392;B32B37/20;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217 | 代理人: | 高占元;鄒秋菊 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 太陽能電池 模組 方法 設備 以及 包括 柔性 薄膜 | ||
1.一種用于制造薄膜太陽能電池模組的方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供(S10)第一薄膜網(F10)以應用柔性薄膜太陽能電池;
將一系列的間隔設置的導電接觸墊(KS10)應用(S20)到所述第一薄膜網(F10);
提供(S30)一系列的柔性薄膜太陽能電池(DSZ10),(DSZ20..),所述柔性薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、…)包括:
○第一側部(OS),所述第一側部(OS)至少部分形成第一導電極(P1),以及
○第二側部(US),所述第二側部(US)至少部分形成第二導電極(P2),
○光伏有源層狀結構(PV),在所述光伏有源層狀結構(PV)的第一側部(OS)上分配有至少一個導電體(C10、C20…)用以
■接觸所述第一導電極(P1),并
■延伸經過所述光伏有源層狀結構(PV)的一側;
將提供的所述一系列的薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、…)應用到所述第一薄膜網(F10)以使得
■所述第二導電極(P2)與第一薄膜網(F1)上的所述接觸墊(KS10)中的第一個的第一區域(B10)接觸,
■與所述第一導電極(P1)接觸的所述導電體(C10、C20…)接觸到所述第一薄膜網(F1)上鄰近所述第一接觸墊(KS10)的第二接觸墊的第二區域(B20),所述導電體(C10、C20…)的一部分延伸經過所述光伏有源層狀結構(PV)的一側;以及
層壓透明、柔性、熱塑性的第二薄膜網(F2)到所述第一薄膜網(F10)以及所述柔性薄膜太陽能電池(DSZ)以及所述導電體(C10、C20…)上。
2.根據權利要求1所述的用于制造薄膜太陽能電池模組的方法,其特征在于,
-在將各所述薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)應用到所述第一薄膜網(F10)上之前,或者
-在將各所述薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)應用到所述第一薄膜網(F10)上之后,
將各所述薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)的第一側部的所述至少一個導電體(C10、C20…)分配至各所述薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、…)。
3.根據權利要求1所述的用于制造薄膜太陽能電池模組的方法,其特征在于,
至于其橫截面和/或縱向延伸,所述至少一個導電體(C10、C20…)在分配到所述光伏有源層狀結構(PV)之前至少部分嵌入到
●所述熱塑性的第二薄膜網(F2)內,或
●載體帶(TB)內,或
●熱塑性粘合劑塊內。
4.根據權利要求1-3所述的用于制造薄膜太陽能電池模組的方法,其特征在于,至少部分包圍所述導電體(C10、C20…)的柔性覆蓋層(AS)應用至所述層狀結構(PV)的所述第一側部(OS)以及應用至各所述薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)的所述導電體(C10、C20…)。
5.根據權利要求1-4所述的用于制造薄膜太陽能電池模組的方法,其特征在于,在進一步的步驟中,通過壓制、激光焊接、焊接、錫焊或粘合生成所述導電體(C10、C20)與所述第二區域(B20)及所述第二接觸墊(KS20)之間的接觸。
6.根據權利要求1-5所述的用于制造薄膜太陽能電池模組的方法,其特征在于,所述壓制步驟可通過在小于20秒的時間段內引入范圍為大約120℃至大約170℃的溫度來實現,在合適的情況下,至少一部分所述時間段內采用負壓。
7.根據權利要求1-6所述的用于制造薄膜太陽能電池模組的方法,其特征在于,所述第一薄膜網(F10)沿傳輸方向(F)進行傳輸,橫向移動的多個系列的
●間隔設置的導電接觸墊(KS10)應用至所述第一薄膜網(10)上,
●隨后多個所述薄膜太陽能電池(DSZ10、DSZ20、DSZ…)同時應用至所述第一薄膜網(10)上,至少一行所述薄膜太陽能電池相對所述傳輸方向傾斜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于米爾鮑爾股份公司,未經米爾鮑爾股份公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380010738.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:帶有電池模塊殼體和電池單元的電池模塊
- 下一篇:應變緩減的TSV的結構和方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





