[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380010640.4
• 申請(qǐng)日: 2013-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104137246A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 本田一尊;永井朗;佐藤慎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立化成株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;C09J11/06;C09J163/00;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 王靈菇;白麗

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其為半導(dǎo)體芯片和布線電路基板各自的連接部相互電連接而成的半導(dǎo)體裝置或多個(gè)半導(dǎo)體芯片各自的連接部相互電連接而成的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述制造方法具備將所述連接部的至少一部分用含有具有下述式(1-1)或(1-2)所示的基團(tuán)的化合物的半導(dǎo)體用粘接劑密封的工序，

式中，R¹表示供電子性基團(tuán)、多個(gè)存在的R¹相互可以相同也可以不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述化合物為具有2個(gè)羧基的化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述化合物為下述式(2-1)或(2-2)所示的化合物，

式中，R¹表示供電子性基團(tuán)、R²表示氫原子或供電子性基團(tuán)、n¹表示0～15的整數(shù)、n²表示1～14的整數(shù)，多個(gè)存在的R¹相互可以相同也可以不同，R²多個(gè)存在時(shí)，R²相互可以相同也可以不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述化合物為下述式(3-1)或(3-2)所示的化合物，

式中，R¹表示供電子性基團(tuán)、R²表示氫原子或供電子性基團(tuán)、m¹表示0～10的整數(shù)、m²表示0～9的整數(shù)，多個(gè)存在的R¹和R²分別相互可以相同也可以不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述m¹為0～8的整數(shù)、m²為0～7的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述化合物的熔點(diǎn)為150℃以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述供電子性基團(tuán)為碳數(shù)為1～10的烷基。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述半導(dǎo)體用粘接劑進(jìn)一步含有重均分子量為10000以上的高分子成分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述半導(dǎo)體用粘接劑的形狀為膜狀。

10.一種半導(dǎo)體裝置，其是通過(guò)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的制造方法得到的。