[發明專利]n型擴散層形成用組合物、具有n型擴散層的半導體基板的制造方法及太陽能電池元件的制造方法

有效

• 申請號: 201380010626.4
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN104137227B
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 佐藤鐵也;吉田誠人;野尻剛;蘆澤寅之助;倉田靖;町井洋一;巖室光則;織田明博;清水麻理
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L21/225;C03C8/16;C08L101/00;C09D201/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種n型擴散層形成用組合物，其含有包含施主元素的化合物、分散介質和有機填料，所述包含施主元素的化合物為玻璃粒子的形態，且包含施主元素的化合物與有機填料的質量比、即包含施主元素的化合物:有機填料的質量比為1:50～50:1，將在25℃下剪切速度為x[s-1]時的剪切粘度ηx的對數記作log10(ηx)、并將表示觸變性的TI值設為[log10(η0.01)－log10(η10)]時的TI值為0.5以上且6.0以下。

2.根據權利要求1所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述有機填料為粒子形狀，且平均粒徑為10μm以下。

3.根據權利要求1或2所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述有機填料的分解溫度為700℃以下。

4.根據權利要求1或2所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述包含施主元素的化合物為含有磷的化合物。

5.根據權利要求1所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述玻璃粒子含有：選自P2O3及P2O5中的1種以上的含施主元素物質；和選自SiO2、K2O、Na2O、Li2O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2O5、SnO、ZrO2及MoO3中的1種以上的玻璃成分物質。

6.根據權利要求1所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述n型擴散層形成用組合物中的玻璃粒子的含有率為1質量％以上且80質量％以下。

7.根據權利要求5或6所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述玻璃粒子中的選自P2O3及P2O5中的1種以上的含施主元素物質的含有率為0.01質量％以上且10質量％以下。

8.根據權利要求1或2所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述n型擴散層形成用組合物中的所述有機填料的含有率為1質量％以上且50質量％以下。

9.一種具有n型擴散層的半導體基板的制造方法，其具有：

在半導體基板上的至少一部分賦予權利要求1～8中任一項所述的n型擴散層形成用組合物的工序；和

實施熱處理而在所述半導體基板中形成n型擴散層的工序。

10.一種太陽能電池元件的制造方法，其具有：

在半導體基板上的至少一部分賦予權利要求1～8中任一項所述的n型擴散層形成用組合物的工序；

實施熱處理而在所述半導體基板中形成n型擴散層的工序；和

在所述n型擴散層上形成電極的工序。