[發明專利]制造太陽能電池的方法

有效

• 申請號: 201380010618.X
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN104303316B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發明（設計）人: J.D.莫施納;H.納格爾;A.拉霍維奇;M.菲德勒
• 申請（專利權）人: 弗勞恩霍弗實用研究促進協會
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 周鐵,石克虎

1.制造具有硅襯底的太陽能電池的方法，其中在所述襯底的表面上存在氧化硅層形式的介電鈍化層以及在其上施加的例如抗反射層的層，該層在加工間中優選借助PECVD方法沉積在所述介電鈍化層上，

其特征在于，

所述介電鈍化層由所述襯底的表面在加工間中借助至少部分離解的氧化氣體，例如借助含有氧化氣體的等離子體而形成，或者所述介電鈍化層由所述襯底的表面在加工間之前的預加工間中在氧化氣體存在下形成，其中所述襯底在預加工間中跨時間t在氧分壓為至少100Pa，特別是至少1kPa下經受≥250℃，特別是≥400℃的溫度T。

2.權利要求1的方法，

其特征在于，

所使用的等離子體還包含硅烷。

3.權利要求1或2的方法，

其特征在于，

所述介電鈍化層的形成在加工間之前的作為預加工間的閘門間中實施。

4.至少上述權利要求之一的方法，

其特征在于，

將在所述氧化氣體中的氧分壓設定為至少1kPa，優選至少5kPa。

5.至少上述權利要求之一的方法，其中將設置在載體上的襯底輸送到所述加工間，

其特征在于，

使設置在載體上的所述襯底在預加工間中在250℃≤T≤800℃，特別是400℃≤T≤800℃的溫度T下跨＞1s，優選＞2s，特別是2s≤t≤60s的時間t經受氧化氣體，例如空氣。

6.至少權利要求1的方法，

其特征在于，

所使用的氧化氣體包括至少一種選自氧氣、一氧化二氮、臭氧或其混合物的氣體。

7.至少權利要求1的方法，

其特征在于，

在制造所述介電鈍化層之前，使所述襯底的表面具有親水性性能。

8.至少權利要求7的方法，

其特征在于，

為了產生所述親水性性能，使用含有氧化劑的堿性或酸性溶液。

9.至少權利要求8的方法，

其特征在于，

所使用的堿性溶液的組分包括至少一種選自NaOH、KOH、氫氧化四烷基銨，如氫氧化四甲銨的組分，和/或所使用的酸性溶液是甲磺酸。

10.至少權利要求8的方法，

其特征在于，

所使用的氧化劑包括至少一種選自過碳酸鹽、過硼酸鹽、過氧一硫酸鹽、過氧二硫酸鹽、次氯酸鹽的試劑。

11.至少權利要求8的方法，

其特征在于，

向所述氧化劑中添加至少一種另外的選自穩定劑、絡合物形成劑、表面活性劑的組分。

12.至少上述權利要求之一的方法，

其特征在于，

所述襯底在預加工間中經受≥300℃，優選≥350℃，特別是≥400℃的溫度T。

13.至少上述權利要求之一的方法，

其特征在于，

所述在氧化硅層上施加的層在含有氫的情況下形成。

14.至少上述權利要求之一的方法，

其特征在于，

所述在氧化硅層上施加的層至少構成為下列層之一：氮化硅層，例如氧氮化硅層，氧化硅層、氧化鋁層、氮化鋁層、氧化鈦層，特別是構成為包括至少兩個層的層體系。

15.根據至少權利要求1至14之一制造的太陽能電池，

其中所述在襯底前面上存在的介電鈍化層的厚度D為＞0.3nm，優選＞0.5nm，和/或＜120nm，優選＜25nm，特別是0.5nm≤D≤3nm。