[發明專利]電子器件、電子器件制造方法和圖像顯示裝置無效
| 申請號: | 201380010609.0 | 申請日: | 2013-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN104137267A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 勝原真央;福田敏生 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子器件 制造 方法 圖像 顯示裝置 | ||
1.一種電子器件,其包括:
電極結構;
絕緣層;以及
活性層,
其中所述活性層是由有機半導體材料形成的,并且
與所述活性層接觸的所述絕緣層是由環狀環烯烴聚合物或環狀環烯烴共聚物形成的。
2.根據權利要求1所述的電子器件,
其中所述絕緣層由第一絕緣層和第二絕緣層層疊起來而形成,并且
所述第二絕緣層由環狀環烯烴聚合物或環狀環烯烴共聚物形成。
3.根據權利要求1所述的電子器件,
其中所述電子器件是由三端子式半導體器件構成的,
所述電極結構是由柵極電極和源極電極及漏極電極構成的,
所述活性層構成溝道形成區和溝道形成區延伸部,并且
所述絕緣層構成柵極絕緣層。
4.根據權利要求3所述的電子器件,
其中所述柵極電極、所述柵極絕緣層和所述溝道形成區按照此順序從底部開始層疊,并且
所述源極電極及漏極電極被形成于所述溝道形成區延伸部上。
5.一種電子器件制造方法,該方法包括至少如下的工序:
(A)在基底上形成控制電極和覆蓋所述控制電極的第一絕緣層;然后
(B)在所述第一絕緣層上形成由有機絕緣材料形成的第二絕緣層;且然后
(C)在所述第二絕緣層上通過形成已經在溶劑中溶解了有機半導體材料的有機材料溶液層、接著進行干燥而形成有機半導體材料層,
其中所述有機絕緣材料是由環狀環烯烴聚合物或環狀環烯烴共聚物形成的,
當在所述第二絕緣層上形成所述有機材料溶液層時,由于所述第二絕緣層的表面被所述有機材料溶液層中所包含的所述溶劑溶解,因而所述有機絕緣材料和所述有機半導體材料在所述第二絕緣層與所述有機材料溶液層之間的界面處混合,并且
當所述有機材料溶液層已經干燥時,所述第二絕緣層和所述有機半導體材料層分離。
6.一種電子器件制造方法,該方法包括至少如下的工序:
(A)在基底上形成控制電極和覆蓋所述控制電極的第一絕緣層;然后
(B)通過在所述第一絕緣層上形成已經溶解了有機絕緣材料和有機半導體材料的有機材料溶液層、接著干燥所述有機材料溶液層,獲得由所述有機絕緣材料形成的第二絕緣層和由所述有機半導體材料形成的有機半導體材料層的層疊結構,
其中所述有機絕緣材料是由環狀環烯烴聚合物或者環狀環烯烴共聚物形成的,并且
當所述有機材料溶液層已經干燥時,所述第二絕緣層和所述有機半導體材料層分離。
7.根據權利要求5或6所述的電子器件制造方法,其還包括如下的工序:在形成所述有機半導體材料層之后,在所述有機半導體材料層上形成第一電極和第二電極。
8.一種圖像顯示裝置,其包括:
圖像顯示單元;以及
控制單元,所述控制單元被構造成控制所述圖像顯示單元上的圖像的顯示,
其中所述控制單元包括如權利要求1至4中任一項所述的電子器件。
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