[發明專利]用于接觸半導體襯底、特別是用于接觸太陽能電池的方法以及由此得到接觸的太陽能電池

無效

• 申請號: 201380010595.2
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN104137270A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 約爾根H·維爾納;雷內·扎普夫-哥特維克
• 申請（專利權）人: 斯圖加特大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18;C23C14/04;H01L21/285
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

1.一種用于接觸半導體襯底、特別是用于接觸太陽能電池(10)、特別是用于建立太陽能電池(10)上的正面接觸部(19)的方法，其中，首先借助LIFT-工藝(Laser?Induced?Forward?Transfer-Prozess(激光誘導向前轉移工藝))在有待接觸的表面上產生金屬的胚種結構(20)，并且接下來借助印制方法、特別是借助絲網印制法或噴墨法來涂布至少一個加厚層(22)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述胚種結構(20)具有第一表面區域，以及所述加厚層(22)具有第二表面區域，其中，所述胚種結構(20)和所述加厚層(22)以如下方式相互協調：所述第二表面區域與所述第一表面區域相重合或者在其內部分布。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述胚種結構(20)和/或所述加厚層由鎳、鈦、鋁、銅或其合金制成。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述胚種結構(20)和所述加厚層(22)由含銅或含鎳的材料制造。

5.根據前述權利要求之一所述的方法，其中，所述胚種結構(20)被作為擴散阻擋層制造。

6.根據前述權利要求之一所述的方法，其中，所述胚種結構(20)和所述加厚層(22)由鎳或鎳合金制造。

7.根據前述權利要求之一所述的方法，其中，所述胚種結構(20)被以0.1nm至100nm，優選0.5nm至50nm，進一步優選1至10nm的層厚來制造。

8.根據前述權利要求之一所述的方法，其中，所述胚種結構(20)借助另一LIFT-工藝來加厚，之后涂布所述加厚層(22)。

9.根據前述權利要求之一所述的方法，其中，所述胚種結構(20)穿透頂蓋層、優選穿透鈍化層(18)，優選在太陽能電池(10)的正面上產生。

10.根據前述權利要求之一所述的方法，其中，通過絲網印制模具(36)在所述胚種結構(20)上涂布絲網印制膏體，絲網印制膏體在小于400℃的溫度下，優選最高在330℃下被燒盡。

11.一種用于接觸太陽能電池(10)的方法，其中，施加優選由無定形的硅構成的、在背面的鈍化層(23)。

12.一種太陽能電池，具有正面接觸部(19)或在背面的接觸部，所述接觸部具有由鎳或鎳合金制成的胚種結構(20)以及在所述胚種結構上具有由銅、銅合金、鎳或鎳合金制成的加厚層(22)，其中，所述胚種結構(20)構造為針對所述加厚層(22)的擴散阻擋層。

13.根據權利要求12所述的太陽能電池，其中，所述胚種結構(20)具有第一表面區域，并且所述加厚層(22)具有第二表面區域，所述第二表面區域與所述第一表面區域的外部輪廓相重合或者在其內部分布。

14.根據權利要求12或13所述的太陽能電池，其中，所述胚種結構(20)具有0.1nm至100nm、優選為0.5nm至50nm、進一步優選為1nm至10nm的層厚度。