[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取單元、制造固態(tài)圖像拾取單元的方法以及電子設(shè)備

無效

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• 申請(qǐng)日: 2013-01-15
• 公開（公告）號(hào): CN104137263A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋裕嗣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L31/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種固態(tài)圖像拾取單元，包括：

黃銅礦結(jié)構(gòu)的p-型化合物半導(dǎo)體層；

電極，形成在該p-型化合物半導(dǎo)體層上；以及

n-型層，對(duì)于每個(gè)像素，單獨(dú)形成在該p-型化合物半導(dǎo)體層的與光入射側(cè)相反的表面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取單元，其中該電極形成在該p-型化合物半導(dǎo)體層的光入射表面?zhèn)壬稀?/p>

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取單元，其中該電極由與該p-型化合物半導(dǎo)體層歐姆接觸的金屬形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)圖像拾取單元，其中該電極僅形成在該n-型層的像素分離區(qū)域中。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)圖像拾取單元，其中該n-型層的像素分離部設(shè)置有p-型層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取單元，其中該n-型層構(gòu)成半導(dǎo)體基板上形成的MOS晶體管的源極和漏極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取單元，還包括：

絕緣層，形成在該p-型化合物半導(dǎo)體層上；以及

透光電極，形成在該絕緣層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取單元，其中該電極由金屬膜和透光電極形成，該金屬膜形成在該p-型化合物半導(dǎo)體層的光入射表面上，并且該透光電極形成在該金屬膜上。

9.一種制造固態(tài)圖像拾取單元的方法，該方法包括：

為每個(gè)像素單獨(dú)形成n-型層；

在該n-型層上形成黃銅礦結(jié)構(gòu)的p-型化合物半導(dǎo)體層；以及

在該p-型化合物半導(dǎo)體層上形成電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造固態(tài)圖像拾取單元的方法，還包括

在半導(dǎo)體基板上形成配線層，其中

該n-型層形成在該配線層上。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造固態(tài)圖像拾取單元的方法，還包括

制備設(shè)置有n-溝道MOS晶體管的半導(dǎo)體基板，其中

該p-型化合物半導(dǎo)體層形成在該MOS晶體管的n-型層上。

12.一種電子設(shè)備，設(shè)置有固態(tài)圖像拾取單元和處理從該固態(tài)圖像拾取單元輸出的信號(hào)的信號(hào)處理電路，該固態(tài)圖像拾取單元包括：

黃銅礦結(jié)構(gòu)的p-型化合物半導(dǎo)體層；

電極，形成在該p-型化合物半導(dǎo)體層上；以及

n-型層，對(duì)于每個(gè)像素，單獨(dú)形成在該p-型化合物半導(dǎo)體層的與光入射側(cè)相反的表面上。