[發明專利]含有鉻氧化物的強磁性材料濺射靶

有效

• 申請號: 201380010211.7
• 申請日: 2013-01-28
• 公開（公告）號: CN104126026A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 高見英生;荒川篤俊
• 申請（專利權）人: 吉坤日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;G11B5/64;G11B5/65
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

技術領域

本發明涉及磁記錄介質的磁性體薄膜、特別是采用垂直磁記錄方式的硬盤的磁記錄層的成膜中使用的強磁性材料濺射靶，并且涉及能夠抑制濺射時的粉粒產生的濺射靶。

背景技術

在以硬盤驅動器為代表的磁記錄領域，作為磁記錄介質中的磁性薄膜的材料，使用以作為強磁性金屬的Co、Fe或Ni為基質的材料。近年來，在采用實用化的垂直磁記錄方式的硬盤的記錄層中，使用包含以Co為主要成分的Co-Cr基或Co-Cr-Pt基強磁性合金與非磁性無機物的復合材料。

從生產率高的觀點考慮，硬盤等磁記錄介質的磁性薄膜多數情況下是用以上述材料作為成分的強磁性材料濺射靶進行濺射來制作。用作外部記錄裝置的硬盤驅動器逐年要求增加記錄密度，隨著記錄密度提高，強烈要求減少濺射時所產生的粉粒。

例如，在專利文獻1、2、3中記載了包含鈷基金屬的磁性相和金屬氧化物的非磁性相的濺射靶，其通過使氧化物相的顆粒微細化，由此減少濺射時的粉粒和電弧放電的產生。

但是，鉻氧化物難以燒結，因此若使鉻氧化物充分燒結，則有時鉻氧化物以外的成分發生晶粒生長，如果用由于該晶粒生長而形成有粗大組織的靶進行濺射，則存在粉粒產生增加的問題。另一方面，如果為了抑制這樣的晶粒生長而抑制燒結，則靶的密度降低，同樣存在粉粒產生增加的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-215617號公報

專利文獻2：國際公開第2007/080781號公報

專利文獻3：日本專利第4837801號公報

發明內容

發明所要解決的問題

通常，通過磁控濺射裝置用強磁性材料濺射靶進行濺射時，存在如下問題：濺射時產生由氧化物相引起的粉粒和電弧放電。

為了解決該問題，考慮通過使氧化物相顆粒微細化，由此使該顆粒均勻分散在濺射靶材內。但是，由于鉻氧化物是難以燒結的材料，因此難以在保持高密度的狀態下，使包含鉻氧化物相的氧化物相的顆粒均勻地微細化。

鑒于上述問題，本發明的課題是提供保持高密度、并且使氧化物相顆粒均勻地微細化、粉粒產生少的含有鉻氧化物的強磁性材料濺射靶。

用于解決問題的手段

為了解決上述課題，本發明人進行了深入研究，結果發現：通過含有Y、Mg、Al，它們抑制氧化物相的晶粒生長，從而能夠得到使氧化物相顆粒均勻地微細化的高密度的強磁性材料濺射靶。

基于上述發現，本發明提供：

1)一種強磁性材料濺射靶，其含有基體相和氧化物相，所述基體相包含鈷；或鈷、鉻；或鈷、鉑；或鈷、鉻、鉑構成，所述氧化物相至少包含合計為5摩爾％以上且25摩爾％以下的鉻氧化物和Si、Ti中任意一種以上的金屬氧化物，其特征在于，含有合計為10重量ppm以上且3000重量ppm以下的Y、Mg、Al中的任意一種以上元素，相對密度為97％以上；

2)如上述1)所述的強磁性材料濺射靶，其特征在于，以Cr₂O₃換算含有0.5摩爾％以上且10摩爾％以下的鉻氧化物；

3)如上述1)或2)所述的強磁性材料濺射靶，其特征在于，氧化物相的平均顆粒尺寸為3μm²/顆粒以下。

發明效果

如此，通過含有規定量的釔(Y)、Mg(鎂)、Al(鋁)，能夠得到高密度的強磁性材料濺射靶。并且，如此調節后的濺射靶具有在濺射時能夠減少電弧放電和粉粒產生這樣優良的效果。

具體實施方式

構成本發明的強磁性材料濺射靶的主要成分是鈷(Co)、鈷(Co)和鉻(Cr)、鈷(Co)和鉑(Pt)、或者鈷(Co)、鉻(Cr)和鉑(Pt)的金屬。

它們是作為磁記錄介質必要的成分，配合比例只要在能夠保持有效的作為磁記錄介質的特性的范圍內就沒有特別限制。通常使用按照Co：50摩爾％以上；或Cr：1～50摩爾％、余量為Co；或Pt：5～30摩爾％、余量為Co；或Cr：1～50摩爾％、Pt：5～30摩爾％、余量為Co的比例配合而成的材料。

另外，除了上述金屬以外，還可以以釕(Ru)、硼(B)作為成分。