[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201380008425.0
• 申請日: 2013-04-03
• 公開（公告）號: CN104106139A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 小林勇介;武井學;中川明夫
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 熊風

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

作為第1導電型漂移層的第1導電型半導體基板；

設置于所述第1導電型半導體基板背面的表面層的第2導電型集電極層；以及

與所述第2導電型集電極層相接的集電極電極，

從所述第1導電型漂移層與所述第2導電型集電極層之間的第1pn結起朝所述第1導電型漂移層側深度在0.3μm以下的區域的載流子濃度是從所述第1pn結起朝所述第1導電型漂移層側深度大于0.3μm的區域的累積載流子濃度的30％～70％。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2導電型集電極層的峰值雜質濃度在1.0×10¹⁸cm^-3以下的范圍內。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2導電型集電極層的厚度在0.5μm以下。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

進行柵極電阻為0.5Ω/cm²～10Ω/cm²、且關斷時間為0.27μs～0.38μs的開關動作。

5.如權利要求1至4的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

還包括第2導電型基極區域，該第2導電型基極區域選擇性地設置于所述第1導電型半導體基板正面的表面層，并在導通狀態下形成有溝道，

在關斷時從所述第2導電型基極區域與所述第1導電型漂移層之間的第2pn結伸出的耗盡層不與所述第2導電型集電極層相接觸。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第1導電型漂移層與所述第2導電型集電極層之間還包括第1導電型緩沖層，該第1導電型緩沖層的雜質濃度低于所述第1導電型漂移層，

在關斷時從所述第2pn結伸出的耗盡層不與第1導電型緩沖層相接觸。

7.如權利要求1至4的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

第2導電型基極區域，該第2導電型基極區域選擇性地設置于所述第1導電型半導體基板正面的表面層，并在導通狀態下形成有溝道；以及

第1導電型緩沖層，該第1導電型緩沖層形成在所述第1導電型漂移層與所述第2導電型集電極層之間，其雜質濃度低于所述第1導電型漂移層，

在關斷時從所述第2導電型基極區域與所述第1導電型漂移層之間的第2pn結伸出的耗盡層與第1導電型緩沖層相接觸。