[發(fā)明專利]R-T-B-Ga系磁體用原料合金及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380008046.1
• 申請(qǐng)日: 2013-02-01
• 公開（公告）號(hào): CN104114305B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐口明彥;禰宜教之;米村光治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 和歌山稀土株式會(huì)社
• 主分類號(hào): B22F1/00
• 分類號(hào): B22F1/00;C22C38/00;H01F1/057
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種R-T-B-Ga系磁體用原料合金，其特征在于，其為R-T-B-Ga系磁體用原料合金，其中，R為包含Y的稀土元素之中的至少1種，T是以Fe為必須的1種以上過渡元素，

該R-T-B-Ga系磁體用原料合金包含作為主相的R₂T₁₄B相和濃縮有R的富R相，

所述富R相內(nèi)的非晶相中的Ga含有率(質(zhì)量％)高于所述富R相內(nèi)的結(jié)晶相中的Ga含有率(質(zhì)量％)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的R-T-B-Ga系磁體用原料合金，其特征在于，所述R-T-B-Ga系磁體用原料合金的平均厚度為0.1mm以上且1.0mm以下。

3.一種R-T-B-Ga系磁體原料用合金的制造方法，其特征在于，其為制造權(quán)利要求1或2所述的R-T-B-Ga系磁體用原料合金的方法，具備如下工序：

在減壓下或非活性氣體氣氛下，利用薄帶連鑄法由R-T-B-Ga系合金熔液鑄造合金帶，將該合金帶破碎而得到合金片的第一工序；以及，在將所述合金片以規(guī)定溫度保持規(guī)定時(shí)間而保熱后，進(jìn)行冷卻的第二工序，

在所述第二工序中，使保熱溫度為650℃以上且所述合金的熔點(diǎn)溫度以下，并且在保熱后以1～9℃/秒的冷卻速度至少冷卻至400℃。