[發明專利]硅外延晶片的制造方法在審
| 申請號： | 201380007643.2 | 申請日： | 2013-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN104106126A | 公開（公告）日： | 2014-10-15 |
| 發明（設計）人： | 吉田知佐;樫野久壽 | 申請（專利權）人： | 信越半導體株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;C30B25/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 日本東京都千*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 晶片 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅外延晶片的制造方法，其特征在于，
在通過摻雜砷而使電阻率為1.0～1.7mΩcm，并進一步摻雜碳、或氮、或碳和氮而制造的N型單晶硅晶片上形成硅外延層。
2.根據權利要求1所述的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，
在上述N型單晶硅晶片摻雜碳時，將所摻雜的碳的濃度設為0.2～5ppma。
3.根據權利要求1或2所述的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，
在上述N型單晶硅晶片摻雜氮時，將所摻雜的氮的濃度設為1×1013～2×1014atoms/cm3。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
