[發明專利]硫化物固體電解質材料、電池和硫化物固體電解質材料的制造方法

有效

• 申請號: 201380007125.0
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN104185873B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 菅野了次;平山雅章;加藤祐樹;大友崇督;坂野充
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01B1/06
• 分類號: H01B1/06;C01B33/06;H01B1/10;H01B13/00;H01M4/62;H01M10/0562
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 金世煜,苗堃

1.一種硫化物固體電解質材料，其特征在于，含有M₁元素、M₂元素和S元素，

所述M₁至少含有Li，

所述M₂是選自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一種，

在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，

將所述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射強度設為I_A，將2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射強度設為I_B時，I_B/I_A的值小于0.50，

所述M₂至少含有P和Si。

2.一種硫化物固體電解質材料，其特征在于，含有M₁元素、M₂元素和S元素，

所述M₁至少含有Li，

所述M₂是選自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一種，

在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，

在使用了CuKα射線的X射線衍射測定中的2θ＝27.33°±0.50°的位置不具有峰，或者

在所述2θ＝27.33°±0.50°的位置具有峰的情況下，將所述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射強度設為I_A、將所述2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射強度設為I_B時，I_B/I_A的值小于0.50，

所述M₂至少含有P和Si。

3.根據權利要求1或2所述的硫化物固體電解質材料，其特征在于，所述M₂含有除P和Si以外的其他元素。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的硫化物固體電解質材料，其特征在于，Si相對于除P以外的所述M₂的摩爾分數為30％以上。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的硫化物固體電解質材料，其特征在于，在所述2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰的結晶相中，晶格常數的a軸長為以下。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的硫化物固體電解質材料，其特征在于，以所述M₂的摩爾分數的合計為1時，所述M₁的摩爾分數為3.35以上。

7.一種硫化物固體電解質材料，其特征在于，含有如下晶體結構作為主體，所述晶體結構具有由M₁元素和S元素構成的八面體O、由M_2a元素和S元素構成的四面體T₁、以及由M_2b元素和S元素構成的四面體T₂，所述四面體T₁和所述八面體O共有棱，所述四面體T₂和所述八面體O共有頂點，

所述M₁至少含有Li，

所述M_2a和所述M_2b各自獨立地為選自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一種，

所述M_2a和所述M_2b中的至少一方含有P，

所述M_2a和所述M_2b中的至少一方含有Si。

8.根據權利要求7所述的硫化物固體電解質材料，其特征在于，所述M_2a和所述M_2b中的至少一方含有除P和Si以外的其他元素。

9.根據權利要求7或8所述的硫化物固體電解質材料，其特征在于，Si相對于除P以外的所述M_2a和所述M_2b的摩爾分數為30％以上。

10.根據權利要求7～9中任一項所述的硫化物固體電解質材料，其特征在于，在所述晶體結構中，晶格常數的a軸長為以下。