[發明專利]半導體用密封組合物、半導體裝置及其制造方法、以及聚合物及其制造方法

有效

• 申請號: 201380005535.1
• 申請日: 2013-01-16
• 公開（公告）號: CN104081503A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 小野升子;茅場靖剛;田中博文;高村一夫;鈴木常司;三尾茂
• 申請（專利權）人: 三井化學株式會社
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;C08G73/04;H01L21/768;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/532
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種半導體用密封組合物，其含有下述聚合物，且鈉和鉀的含量以元素基準計分別為10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2個以上陽離子性官能團，且重均分子量為2000～1000000，支化度為48％以上。

2.根據權利要求1所述的半導體用密封組合物，所述聚合物具有來源于碳原子數2～8的亞烷基亞胺并且包含叔氮原子作為陽離子性官能團的結構單元。

3.根據權利要求2所述的半導體用密封組合物，所述聚合物還具有來源于碳原子數2～8的亞烷基亞胺并且包含仲氮原子作為陽離子性官能團的結構單元。

4.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體密封用組合物，所述聚合物包含伯氮原子，所述聚合物中的伯氮原子在全部氮原子中所占的比例為33摩爾％以上。

5.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體用密封組合物，所述聚合物的支化度為55％以上。

6.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體用密封組合物，通過動態光散射法測定得到的平均粒徑為150nm以下。

7.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體用密封組合物，所述聚合物為聚乙烯亞胺或聚乙烯亞胺的衍生物。

8.根據權利要求1～3的任一項所述的半導體用密封組合物，所述聚合物的陽離子性官能團當量為27～430。

9.一種半導體裝置的制造方法，其包含下述密封組合物施與工序：將權利要求1～3的任一項所述的半導體用密封組合物，施與至基板上所形成的層間絕緣層。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，所述層間絕緣層包含多孔質二氧化硅，且在其表面具有來源于所述多孔質二氧化硅的硅烷醇殘基。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，還包含下述工序：在所述層間絕緣層處形成10nm～32nm寬的凹狀的槽，

所述密封組合物施與工序是，使所述半導體用密封組合物至少與所述凹狀的槽的側面的層間絕緣層接觸。

12.一種半導體裝置，其具備依次配置有層間絕緣層、聚合物層和包含銅的層的結構，所述聚合物層包含下述聚合物，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2個以上陽離子性官能團，且重均分子量為2000～600000，支化度為48％以上。

13.一種聚合物，其具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2個以上陽離子性官能團，且重均分子量為2000～1000000，支化度為48％以上。

14.根據權利要求13所述的聚合物，其為聚乙烯亞胺或聚乙烯亞胺的衍生物。

15.一種聚合物的制造方法，是制造權利要求13或14所述的聚合物的方法，其具有下述工序：使下述通式(m-1)所示的化合物與包含仲氮原子的原料聚合物反應，

通式(m-1)中，R表示保護基，n表示1～4的整數。