[發明專利]用于生成差分輸入模式通信的終端電阻的裝置和差分輸入模式通信裝置有效
| 申請號: | 201380004513.3 | 申請日: | 2013-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN104025535B | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 李炫澈;許真碩 | 申請(專利權)人: | 株式會社LG化學 |
| 主分類號: | H04L29/02 | 分類號: | H04L29/02;H04L29/12 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人: | 戚傳江,謝麗娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 生成 輸入 模式 通信 終端 電阻 裝置 | ||
1.一種用于生成差分輸入模式通信的終端電阻的裝置,包括:
第一電路單元,所述第一電路單元包括第一接地端子、至少一個第一晶體管和負載電阻,并且該第一電路單元僅在所述第一接地端子連接到地時進行操作;
第二電路單元,所述第二電路單元包括第二接地端子和至少一個第二晶體管,并且該第二電路單元僅在所述第二接地端子連接到地時進行操作;以及
終端電阻生成單元,所述終端電阻生成單元包括電阻和切換元件,并且當所述第一接地端子和所述第二接地端子中的一個未被連接且因此所述第一電路單元和所述第二電路單元中的僅一個進行操作時,該終端電阻生成單元生成終端電阻,
如果所述第一電路單元和所述第二電路單元通過連接所述第一接地端子和所述第二接地端子至地而操作,所述第一晶體管和所述第二晶體管操作,電壓被施加到所述負載電阻,并且所述終端電阻生成單元的各電阻由所述切換元件彼此斷開,則不生成所述終端電阻,
如果所述第一電路單元和所述第二電路單元中僅一個通過連接所述第一接地端子和所述第二接地端子中僅一個至地而操作,所述第一晶體管不操作或所述第二晶體管不操作,電壓不施加到所述負載電阻,并且所述終端電阻生成單元的各電阻由所述切換元件彼此連接,則生成所述終端電阻。
2.如權利要求1所述的裝置,其中,所述至少一個第一晶體管僅在所述第一接地端子被連接到地時被導通以進行操作。
3.如權利要求1所述的裝置,其中,所述至少一個第二晶體管僅在所述第二接地端子被連接到地時被導通以進行操作。
4.如權利要求1所述的裝置,其中,所述切換元件是N溝道耗盡型MOSFET。
5.一種差分輸入模式通信裝置,包括:
多個通信板,所述多個通信板執行差分輸入模式通信,
其中,所述通信板包括終端電阻生成裝置,所述終端電阻生成裝置根據所述通信板是否被定位在端部來生成終端電阻,并且
所述終端電阻生成裝置包括:
第一電路單元,所述第一電路單元包括第一接地端子、至少一個第一晶體管和負載電阻,并且該第一電路單元僅在所述第一接地端子連接到地時進行操作;
第二電路單元,所述第二電路單元包括第二接地端子和至少一個第二晶體管,并且該第二電路單元僅在所述第二接地端子連接到地時進行操作;以及
終端電阻生成單元,所述終端電阻生成單元包括電阻和切換元件,并且當所述第一接地端子和所述第二接地端子中的一個未被連接且因此所述第一電路單元和所述第二電路單元中的僅一個進行操作時,生成終端電阻,
如果所述第一電路單元和所述第二電路單元通過連接所述第一接地端子和所述第二接地端子至地而操作,所述第一晶體管和所述第二晶體管操作,電壓被施加到所述負載電阻,并且所述終端電阻生成單元的各電阻由所述切換元件彼此斷開,則不生成所述終端電阻,
如果所述第一電路單元和所述第二電路單元中僅一個通過連接所述第一接地端子和所述第二接地端子中僅一個至地而操作,所述第一晶體管不操作或所述第二晶體管不操作,電壓不施加到所述負載電阻,并且所述終端電阻生成單元的各電阻由所述切換元件彼此連接,則生成所述終端電阻。
6.如權利要求5所述的裝置,其中,因為所述第一接地端子和所述第二接地端子中的一個未被連接,所以所述終端電阻在所述多個通信板當中的被定位在所述端部的通信板處生成,并且因為所述第一接地端子和所述第二接地端子都被連接,所以所述終端電阻不在所述多個通信板當中的未被定位在所述端部的通信板處生成。
7.如權利要求5所述的裝置,其中,所述至少一個第一晶體管僅在所述第一接地端子被連接到地時被導通以進行操作。
8.如權利要求5所述的裝置,其中,所述至少一個第二晶體管僅在所述第二接地端子被連接到地時被導通以進行操作。
9.如權利要求5所述的裝置,其中,所述切換元件是N溝道耗盡型MOSFET。
10.如權利要求5所述的裝置,其中,所述差分輸入模式通信是控制器局域網絡(CAN)通信、推薦標準(RS)-485通信和推薦標準(RS)-422通信中的一個。
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