[發明專利]形成用于太陽能電池的CIGS光吸收層的方法及CIGS太陽能電池有效
| 申請號： | 201380004295.3 | 申請日： | 2013-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN104011879A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 尹載浩;郭智惠;安世鎮;尹慶勛;申基植;安承奎;趙阿拉;樸相炫;樸海森;崔森武 | 申請（專利權）人： | 韓國ENERGY技術硏究院 |
| 主分類號： | H01L31/0749 | 分類號： | H01L31/0749;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;劉繼富 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 用于 太陽能電池 cigs 光吸收 方法 | ||
1.一種利用三步共蒸發法形成用于太陽能電池的CIGS光吸收層的方法，所述方法包括如下步驟：
共蒸發In、Ga和Se以使其沉積的第一步驟；
共蒸發Cu和Se以使其沉積的第二步驟；和
共蒸發In、Ga和Se以使其沉積的第三步驟；
其中，在所述第一步驟中通過蒸發供應的Ga的量大于在所述第三步驟中通過蒸發供應的Ga的量。
2.根據權利要求1所述的形成用于太陽能電池的CIGS光吸收層的方法，其特征在于：在所述CIGS光吸收層中形成的耗盡層區域的深度為400nm或更大。
3.根據權利要求2所述的形成用于太陽能電池的CIGS光吸收層的方法，其特征在于：在其上形成所述GIGS光吸收層的襯底包含與鈉鈣玻璃襯底不同的材料。
4.根據權利要求2所述的形成用于太陽能電池的CIGS光吸收層的方法，其特征在于：在其上形成所述GIGS光吸收層的襯底為堿濃度為8重量％或更低的鈉鈣玻璃襯底。
5.根據權利要求1所述的形成用于太陽能電池的CIGS光吸收層的方法，其特征在于：在所述第一步驟和所述第三步驟中的In的蒸發量為在所述第一步驟中的Ga的蒸發量為或更多，并且在所述第三步驟中的Ga的蒸發量為
6.根據權利要求5所述的形成用于太陽能電池的CIGS光吸收層的方法，其特征在于：在300℃至450℃的襯底溫度下進行所述第一步驟，并且在480℃至550℃的襯底溫度下進行所述第二步驟和所述第三步驟。
7.一種CIGS太陽能電池，包括：
襯底；
在所述襯底上形成的電極層；和
在所述電極層上形成的CIGS光吸收層；
其中，在所述電極層和所述CIGS光吸收層的界面處的Ga/(In+Ga)的比率為0.45或更高。
8.根據權利要求7所述的CIGS太陽能電池，其特征在于：在所述CIGS光吸收層中形成的耗盡層的深度為400nm或更大。
9.根據權利要求8所述的CIGS太陽能電池，其特征在于：所述襯底包含與鈉鈣玻璃襯底不同的材料。
10.根據權利要求8所述的CIGS太陽能電池，其特征在于：所述襯底為堿濃度為8重量％或更低的鈉鈣玻璃襯底。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
