[發明專利]半導體模塊

有效

• 申請號: 201380003722.6
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN103918076B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: 須永崇;金子昇;三好修
• 申請（專利權）人: 日本精工株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;徐丹

1.一種半導體模塊，其特征在于，

具有：金屬制的基板；形成于該基板之上的絕緣層；形成于該絕緣層上的多個布線圖案；通過焊錫封裝于該多個布線圖案中的一個布線圖案的晶體管裸芯片；以及用于通過焊錫使形成于該晶體管裸芯片的上表面的電極和所述多個布線圖案中的其他布線圖案接合的、由銅板構成的銅連接器，

所述銅連接器具備：與所述晶體管裸芯片的電極接合的電極接合部；以及相對于該電極接合部在單向上以相對置的方式配置的、與所述多個布線圖案中的其他布線圖案接合的基板接合部，

所述電極接合部的與所述單向正交的方向上的寬度比所述基板接合部的與所述單向正交的方向上的寬度窄。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其特征在于，

所述電極接合部位于所述基板接合部的與所述單向正交的寬度方向的大致中央部。

3.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于，

在所述電極接合部和所述基板接合部之間設置有應力緩和部。

4.根據權利要求3所述的半導體模塊，其特征在于，

所述應力緩和部形成為，具有平板部、以從該平板部的一端朝向下方延伸的方式彎折的第一連結部、以及以從所述平板部的另一端朝向下方延伸的方式彎折的第二連結部，而形成橋形，所述電極接合部從所述第一連結部彎折而向外側延伸，所述基板接合部從所述第二連結部彎折而向外側延伸。

5.根據權利要求4所述的半導體模塊，其特征在于，

所述第一連結部形成為從所述平板部到所述電極接合部為止寬度逐漸變細的錐狀，將所述電極接合部的彎曲基點設為所述第一連結部的最細的部位。

6.根據權利要求4或5所述的半導體模塊，其特征在于，

在所述平板部的與所述單向正交的方向的兩端分別形成有平衡肋部，該平衡肋部以從該兩端朝向下方延伸的方式彎折而成。

7.根據權利要求4至6中的任意一項所述的半導體模塊，其特征在于，

所述銅連接器的所述電極接合部及所述基板接合部的厚度比所述銅連接器的其他部分的厚度大。

8.根據權利要求1至7中的任意一項所述的半導體模塊，其特征在于，

所述晶體管裸芯片是在上表面形成有源電極及接合面積比該源電極小的柵電極的FET裸芯片，所述銅連接器是將該銅連接器的電極接合部與所述柵電極接合的柵電極用銅連接器。