[發(fā)明專利]采用3D納米微粒結(jié)構(gòu)體的光學(xué)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380002956.9
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN103930364A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭祈男;韓定錫;拜特洛·皮其特撒;崔虎燮;河璟妍;魯昇烈;金雄植;崔萬秀
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團;多次元能源系統(tǒng)研究集團
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82B1/00;C23C14/32
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標(biāo)代理有限公司 44217
• 代理人: 蔡曉紅

1.一種用于制造納米微粒結(jié)構(gòu)體的方法，其特征在于，包括步驟：

1）將襯底設(shè)置在反應(yīng)器內(nèi)，并隨后施加電場；其中所述襯底具有由帶有穿孔圖案的掩膜層所形成的微米或納米圖案；

2）通過電暈放電產(chǎn)生離子，隨后在設(shè)置在反應(yīng)器內(nèi)的襯底的微米/納米圖案上積聚離子；

3）通過對火花放電室內(nèi)的納米微粒前驅(qū)體進行火花放電，形成帶電納米微粒和離子；以及

4）將所述帶電納米微粒和離子引入所述反應(yīng)器內(nèi)；隨后將與步驟2）中在所述微米/納米圖案表面上積聚的離子極性相同的帶電納米微粒聚焦沉積在所述襯底的所述微米/納米圖案的穿孔部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造納米微粒結(jié)構(gòu)體的方法，其特征在于，所述步驟2）中的電暈放電通過向電暈放電室施加范圍從1kV到10kV之間的電壓而產(chǎn)生。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造納米微粒結(jié)構(gòu)體的方法，其特征在于，所述步驟3）中的火花放電通過向火花放電室施加范圍從5kV到10kV之間的電壓而產(chǎn)生。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造納米微粒結(jié)構(gòu)體的方法，其特征在于，所述納米微粒前驅(qū)體為導(dǎo)電材料、覆蓋有非導(dǎo)電材料的導(dǎo)電材料，或半導(dǎo)體材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造納米微粒結(jié)構(gòu)體的方法，其特征在于，所述步驟1）中的電場通過向反應(yīng)器施加范圍從-5kV到5kV之間的電壓而形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造納米微粒結(jié)構(gòu)體的方法，其特征在于，所述步驟2）中所產(chǎn)生的離子，以及所述步驟3）中所產(chǎn)生的帶電納米微粒和離子通過采用運載氣體而引入至所述步驟3）的反應(yīng)器內(nèi)；其中所述運載氣體從氮氣、氦氣和氬氣中選擇。

7.一種具有3D形狀的納米微粒結(jié)構(gòu)體，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1-6所述方法中的任一種制造而成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米微粒結(jié)構(gòu)體，其特征在于，具有五片或五片以上花瓣的花朵的圖像。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米微粒結(jié)構(gòu)體，其特征在于，由一種或一種以上的納米微粒組成。

10.一種由權(quán)利要求7所述的納米微粒結(jié)構(gòu)體所制得的生物傳感器裝置。

11.一種由權(quán)利要求7所述的納米微粒結(jié)構(gòu)體所制得的太陽能電池裝置。