[發明專利]包含相關系統、裝置及方法的功率放大器模塊無效
| 申請號: | 201380001003.0 | 申請日: | 2013-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN103597742A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 霍華德·E·陳;亦凡·郭;庭福·吳·黃;邁赫蘭·賈納尼;田·敏·古;菲利浦·約翰·勒托拉;安東尼·詹姆斯·洛比安可;哈迪克·布潘達·莫迪;黃·夢·阮;馬修·托馬斯·奧扎拉斯;山德拉·劉易斯·培帝威克;馬修·肖恩·里德;詹斯·阿爾布雷希特·理吉;大衛·史蒂芬·雷普利;宏曉·邵;宏·沈;衛明·孫;祥志·孫;帕特里克·勞倫斯·韋爾奇;小彼得·J·札帕帝;章國豪 | 申請(專利權)人: | 西凱渥資訊處理科技公司 |
| 主分類號: | H03F1/30 | 分類號: | H03F1/30;H03F3/189 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 相關 系統 裝置 方法 功率放大器 模塊 | ||
1.一種功率放大器模塊,其包括:
功率放大器,其包含砷化鎵GaAs雙極晶體管,所述GaAs雙極晶體管具有集極、鄰接所述集極的基極及射極,所述集極在與所述基極的結處具有至少約3×1016cm-3的摻雜濃度,所述集極還具有其中摻雜濃度遠離所述基極增加的至少第一分級;及
RF發射線,其由所述功率放大器驅動,所述RF發射線包含導電層及所述導電層上的表面處理鍍層,所述表面處理鍍層包含金層、接近所述金層的鈀層及接近所述鈀層的擴散勢壘層,所述擴散勢壘層包含鎳且具有小于約鎳在0.9GHz下的集膚深度的厚度。
2.根據權利要求1所述的功率放大器模塊,其進一步包括輸出匹配網絡,所述輸出匹配網絡具有:第一終止電路,其經配置以匹配所述功率放大器的輸出的基本頻率;及第二終止電路,其經配置而以所述功率放大器的所述輸出的諧波的相位終止,所述第一終止電路包含所述RF發射線的至少一部分。
3.根據權利要求1所述的功率放大器模塊,其中所述功率放大器包含于具有氮化鉭終止的穿晶片通孔的功率放大器裸片上。
4.根據權利要求3所述的功率放大器模塊,其中所述功率放大器裸片進一步包含:GaAs襯底;金層,其安置于所述GaAs襯底的第一側上;及銅層,其安置于所述GaAs襯底的與所述第一側相對的第二側上,所述氮化鉭終止的穿晶片通孔經配置以將所述金層電連接到所述銅層。
5.根據權利要求4所述的功率放大器模塊,其中所述功率放大器裸片進一步包含氮化鉭終止區域,所述氮化鉭終止區域經配置以環繞所述銅層與所述金層之間的界面的至少一部分以便抑制來自所述銅層的銅到所述GaAs襯底中的擴散。
6.根據權利要求1所述的功率放大器模塊,其中所述GaAs雙極晶體管為包含于功率放大器裸片上的異質結雙極晶體管HBT,所述功率放大器裸片進一步包含由至少一個HBT層形成的電阻器。
7.根據權利要求1所述的功率放大器模塊,其進一步包括:線接合,其與所述RF發射線的所述金層接觸;至少一個邊緣,其鄰近所述線接合;及至少一個側壁,其鄰近所述至少一個邊緣,所述至少一個側壁不含所述RF發射線的所述鎳層、所述RF發射線的所述鈀層及所述RF發射線的所述金層。
8.根據權利要求1所述的功率放大器模塊,其進一步包括:
雙模式控制接口,其具有經配置以提供串行接口的前端核心;
電壓輸入/輸出VIO引腳,其經配置以接收VIO信號,所述VIO信號確定所述前端核心的操作模式是否被設定為作用狀態與非作用狀態中的一者,所述雙模式控制接口經配置以在所述前端核心被設定為所述非作用狀態時提供通用輸入/輸出GPIO接口;
組合邏輯塊,其經配置以將啟用信號及模式信號分別提供到啟用電平移位器及模式電平移位器;及
電力接通復位,其經配置以基于所述VIO信號而選擇所述啟用信號及所述模式信號以分別提供到所述啟用電平移位器及所述模式電平移位器。
9.根據權利要求1所述的功率放大器模塊,其進一步包括RF隔離結構,所述RF隔離結構包含沿所述功率放大器模塊的外圍安置的線接合。
10.一種功率放大器模塊,其包括:
功率放大器,其經配置以接收RF輸入信號且產生經放大RF輸出信號,所述功率放大器包含GaAs雙極晶體管,所述GaAs雙極晶體管具有集極、鄰接所述集極的基極及射極,所述集極在與所述基極的結處具有至少約3×1016cm-3的摻雜濃度,所述集極還具有其中摻雜濃度遠離所述基極增加的至少第一分級;及
輸出匹配網絡,其包含:第一終止電路,其經配置以匹配所述經放大RF輸出信號的基本頻率的阻抗;及第二終止電路,其與所述第一終止電路分離,所述第二終止電路經配置而以對應于所述經放大RF輸出信號的諧波頻率的相位終止。
11.根據權利要求10所述的功率放大器模塊,其中所述功率放大器驅動具有擴散勢壘層的RF發射線,所述擴散勢壘層包含鎳且具有小于約0.5μm的厚度。
12.根據權利要求11所述的功率放大器模塊,其中線接合將所述功率放大器的輸出電連接到所述RF發射線,所述線接合包含于所述第一終止電路中。
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