[發明專利]利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法及據此方法制作的銅銦鎵硒系薄膜

有效

• 申請號: 201380000852.4
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN104094412B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 魚英柱;尹慶勛;安世鎮;郭智惠;尹載浩;趙雅拉;申基植;安承奎;趙俊植;柳鎮洙;樸相炫;樸柱炯
• 申請（專利權）人: 韓國能源技術研究院
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L21/02
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 龔建華

1.一種利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

制作銅銦鎵硒系納米顆粒的步驟(a)；

含有上述銅銦鎵硒系納米顆粒與熔點為30-400℃范圍的助熔劑的漿料的制作步驟(b)；

在基板上非真空涂覆上述漿料而形成銅銦鎵硒系前驅體薄膜的步驟(c)；

干燥上述銅銦鎵硒系前驅體薄膜的步驟(d)；

利用硒蒸汽將上述銅銦鎵硒系前驅體薄膜進行硒化熱處理的步驟(e)。

2.根據權利要求1所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述銅銦鎵硒系納米顆粒選自：

包含選自Cu-Se、In-Se、Ga-Se、Cu-S、In-S及Ga-S粒子組成的組中的任意一個的二元納米顆粒；

包含選自Cu-In-Se、Cu-In-S、Cu-Ga-S及Cu-Ga-Se粒子組成的組中的任意一個的三元納米顆粒；

Cu-In-Ga-Se四元納米顆粒；

包含選自Cu-In-Ga-Se-（S、Se）及Cu-In-Al-Ga-（S、Se）組成的組中的任意一個的五元納米顆粒；

Cu-In-Al-Ga-Se-S六元納米顆粒；

包含選自Cu-Zn-Sn-（Se、S）及Cu-In-Ga-Zn-Sn-（Se、S）粒子組成的組中的任意一個的銅鋅錫硫系納米顆粒；以及

包含選自Cu、In、Ga、Al、Zn、Sn、S及Se元素粉末組成的組中的任意一個的納米顆粒。

3.根據權利要求1所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述步驟(a)采用低溫膠體法、溶劑熱合成法、微波法及超聲波合成法中任意一種方法。

4.根據權利要求1所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述步驟(b)中的漿料是混合上述銅銦鎵硒系納米顆粒、上述助熔劑、溶劑、絡合劑、交聯劑制作的。

5.根據權利要求1所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述助熔劑是選自硫酰胺、硒酸鈉(十水物)、亞硒酸鈉及氨基磺酸組成的組中的任意一個。

6.根據權利要求1所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述步驟(c)采用噴涂法、超聲波噴涂法、旋轉涂覆法、刮刀涂布法、絲網印刷法及噴墨印刷法中任意一種。

7.根據權利要求1所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述步驟(d)中，在60-300℃溫度下干燥2-10分鐘，并且2-10次重復上述干燥。

8.根據權利要求1所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述步驟(e)中，在250-450℃范圍下，硒化熱處理30-120分鐘。

9.一種按權利要求1所述的制作方法制作的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜。

10.一種利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，包括：

含有熔點為30-400℃范圍的助熔劑的銅銦鎵硒系前驅體溶液的制作步驟(l)；

在基板上非真空涂覆含有上述助熔劑的銅銦鎵硒系前驅體溶液，而形成銅銦鎵硒系前驅體薄膜的步驟(m)；

干燥上述銅銦鎵硒系前驅體薄膜的步驟(n)；

利用硒蒸汽將上述銅銦鎵硒系前驅體薄膜進行硒化熱處理的步驟(o)。

11.根據權利要求10所述的利用低熔點助熔劑的太陽能電池用銅銦鎵硒系薄膜的制作方法，其特征在于，

上述銅銦鎵硒系前驅體溶液包括：

分別包括Cu、In及Ga的金屬鹽溶液；含有銅銦鎵硒系納米顆粒的肼溶液。