[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380000426.0 | 申請日： | 2013-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN103477513A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 大野啟 | 申請（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 元件 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，具備：
基板；
第一包覆層，其形成在所述基板上；
第一引導(dǎo)層，其形成在所述第一包覆層上；
活性層，其形成在所述第一引導(dǎo)層上；
第二引導(dǎo)層，其形成在所述活性層上；
接觸層，其形成在所述第二引導(dǎo)層上；
包覆電極，其形成在所述接觸層上，由導(dǎo)電性金屬氧化物構(gòu)成；和
焊盤電極，其與所述包覆電極電連接，
所述半導(dǎo)體發(fā)光元件具有包含所述接觸層的條狀的臺面型構(gòu)造，
所述包覆電極的寬度比所述臺面型構(gòu)造的寬度大，
所述包覆電極覆蓋所述臺面型構(gòu)造的上表面以及側(cè)面，并且與所述接觸層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述臺面型構(gòu)造中的上表面與下表面之間的級差為10nm以上且200nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述半導(dǎo)體發(fā)光元件還具備形成在所述第二引導(dǎo)層與所述接觸層之間的第二包覆層，
所述第二包覆層具有凸部，
所述臺面型構(gòu)造具有所述第二包覆層的所述凸部、和形成在所述第二包覆層的所述凸部上的所述接觸層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述包覆電極覆蓋所述臺面型構(gòu)造的上表面及側(cè)面、以及所述第二包覆層中的位于所述臺面型構(gòu)造的側(cè)方的側(cè)方部分的上表面，
所述第二包覆層的所述側(cè)方部分與所述包覆電極進行肖特基接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
在所述第二包覆層中的位于所述臺面型構(gòu)造的側(cè)方的側(cè)方部分，形成有與所述第二包覆層的導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的表面層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
在所述第二包覆層中的位于所述臺面型構(gòu)造的側(cè)方的側(cè)方部分，形成有高電阻部。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
在所述第二引導(dǎo)層以及所述第二包覆層中的位于所述臺面型構(gòu)造的側(cè)方的部分形成有高電阻部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述高電阻部是通過利用了等離子的等離子處理將所述第二包覆層的所述側(cè)方部分的上部改性后的改性部，
所述等離子是氟等離子或氧等離子，
所述高電阻部含有氟或氧。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述高電阻部是注入了離子的離子注入部，
所述離子是硼離子、氧離子、鋅離子、鐵離子或硅離子，
所述高電阻部含有硼、氧、鋅、鐵或硅。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述半導(dǎo)體發(fā)光元件還具備高電阻層，該高電阻層形成在所述第二包覆層中的位于所述臺面型構(gòu)造的側(cè)方的側(cè)方部分的上表面上，且形成在所述臺面型構(gòu)造的側(cè)面上，
所述高電阻層含有鋁。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述半導(dǎo)體發(fā)光元件還具備：
Al含有層，其形成在所述第二引導(dǎo)層與所述接觸層之間，含有鋁；和
第二包覆層，其形成在所述Al含有層與所述接觸層之間，
所述臺面型構(gòu)造具有所述第二包覆層、和形成在所述第二包覆層上的所述接觸層，
所述Al含有層的Al成分比高于所述第二包覆層的Al成分比。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述第二引導(dǎo)層具有凸部，
所述臺面型構(gòu)造具有所述第二引導(dǎo)層的所述凸部、和形成在所述第二引導(dǎo)層的所述凸部上的所述接觸層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述第一包覆層是AlInN層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，
所述第一包覆層是具有AlInN層和GaN層的超晶格層。
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