[實(shí)用新型]一種LED封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320897282.0
• 申請(qǐng)日: 2013-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN203733833U
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州矩陣光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60
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• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，具體地說(shuō)是一種LED的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(英語(yǔ)：Light-Emitting?Diode，簡(jiǎn)稱LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)半導(dǎo)體器件，其被廣泛應(yīng)用于照明、液晶背光板、控制面板、閃光裝置等領(lǐng)域。發(fā)光二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個(gè)PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦浴．?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長(zhǎng)越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。

LED(發(fā)光二極管)封裝是指發(fā)光芯片的封裝，相此集成電路封裝有較大不同。LED的封裝不僅要求能夠保護(hù)燈芯，而且還要能夠透光。所以LED的封裝對(duì)封裝材料有特殊的要求。常規(guī)Φ5mm型LED封裝是捋邊長(zhǎng)0.25mm的正方形管芯粘結(jié)或燒結(jié)在引線架上，管芯的正極通過(guò)球形接觸點(diǎn)與金絲，鍵合為內(nèi)引線與一條管腳相連，負(fù)極通過(guò)反射杯和引線架的另一管腳相連，然后其頂部用環(huán)氧樹脂包封。

在中國(guó)專利文獻(xiàn)CN102832330A中也公開了一種圓片級(jí)LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片、硅基載體和填充膠，LED芯片包括芯片本體，在芯片本體上表面設(shè)有電極，所述電極包括電極I和電極II，硅基載體的上方設(shè)置有玻璃，硅基載體的正面設(shè)有下凹的型腔、背面設(shè)有硅孤島，所述硅孤島跨過(guò)型腔的兩端與硅基載體連接，所述LED芯片通過(guò)連接膠與型腔內(nèi)的硅孤島連接，所述玻璃與硅基載體通過(guò)填充膠連接，并且填充膠填充滿型腔內(nèi)部。在型腔表面和硅基載體的上表面設(shè)有反光層，通過(guò)該反光層提升LED出光效率。所述硅基載體的下方設(shè)有感光樹脂層和金屬層，所述感光樹脂層包括感光樹脂層I和感光樹脂層II，所述感光樹脂層I覆蓋在硅基載體的下表面，呈島結(jié)構(gòu)，其高度與硅孤島齊平，所述金屬層包括再布線金屬層和金屬塊，所述金屬塊設(shè)置在硅孤島的下表面，所述再布線金屬層與電極I、電極II連接，所述感光樹脂層II覆蓋在金屬層上，并設(shè)有數(shù)個(gè)感光樹脂開口。在本實(shí)施例中，在整個(gè)型腔內(nèi)部都填充有填充膠，由于填充膠對(duì)光具有一定的吸收作用，因此該填充膠會(huì)影響LED的發(fā)光性能、提高能耗。

實(shí)用新型內(nèi)容

為此，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于現(xiàn)有技術(shù)中LED封裝結(jié)構(gòu)中型腔內(nèi)充滿填充膠、影向LED發(fā)光性能，從而提出一種提高了LED發(fā)光性能的LED封裝結(jié)構(gòu)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括成型有一個(gè)型腔的硅基載體，在所述硅基載體上設(shè)有玻璃基板，在所述硅基載體的型腔內(nèi)設(shè)置有LED芯片，所述玻璃基板和所述硅基載體的邊緣連接，在該連接位置通過(guò)粘結(jié)膠層密封連接，所述硅基載體的型腔內(nèi)中空，在所述型腔的側(cè)壁上設(shè)置有反光層，所述LED芯片粘貼在所述硅基載體的型腔的底部，所述LED芯片的第一電極和第二電極通過(guò)布線金屬層從所述硅基載體的型腔的底部引出。

所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，所述硅基載體的型腔的剖面呈上大下小的形狀。

所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，所述硅基載體的型腔的剖面為倒梯形。

所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，在所述硅基載體的外部設(shè)置有封裝層。

所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，所述布線金屬層包括相互連接的電極連接端和布線延伸端，所述電極連接端通過(guò)預(yù)留孔與所述LED芯片的第一電極或第二電極連接，所述布線延伸端沿所述封裝層延伸。

所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝層或所述布線金屬層的外表面還設(shè)置有防焊保護(hù)層。

所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，在所述玻璃基板朝向所述硅基載體的一側(cè)的表面上設(shè)置有熒光劑層。

所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，所述LED芯片通過(guò)粘結(jié)層粘結(jié)在所述硅基載體的型腔的底部。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案相此現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)，