[實用新型]一種LED襯底晶片加工裝置

有效

• 申請號: 201320896254.7
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN203644812U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 潘相成
• 申請（專利權）人: 常州市好利萊光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及光電子器件的加工裝置，尤其是一種制備LED(發光二極管)，GaN(氮化鎵)所用的藍寶石襯底晶片的加工裝置，具體是一種LED襯底晶片加工裝置。

背景技術

藍寶石是一種氧化鋁單晶材料，具有非常高的硬度，是目前LED行業的普遍采用的襯底材料，用作氮化鎵等外延生長的基質以生產藍光等發光二極管。LED是當今世界最有發展前途的節能技術和產業，作為LED外延片和芯片產品最重要基礎材料的藍寶石材料，是國際高端LED芯片產業上游技術產品，其生產技術主要掌握在日本、美國等發達國家手里。藍寶石晶體是現代微電子、光電子產業極為重要的基礎材料，單晶藍寶石基片是生產藍綠光和白光LED的專用基片，世界上只有極少數國家能生產出符合PSS襯底質量要求的產品。

發明內容

為解決上述問題，本實用新型提供一種提高藍寶石襯底晶片的質量，大大縮短制備周期，節約生產成本，提高勞動生產率的LED襯底晶片加工裝置。

本實用新型所采用的技術方案是：一種LED襯底晶片加工裝置，包括切割器(1)、粗磨機(2)、上蠟器(3)、精磨機(4)、粗拋片(5)，所述的切割器(1)設置在粗磨機(2)上，精磨機(4)貫穿切割器(1)與上蠟器(3)相連接，粗拋片(5)設置在切割器(1)內部的精磨機(4)上。

所述的切割器(1)上、下側還分別設置有精拋片(6)和去蠟器(7)。

所述的上蠟器(3)上安裝有清洗裝置(8)；所述的去蠟器(7)內部安裝有方便拆卸的漏料斗(9)。

本實用新型的應用方法是：準備100-200mm直徑和30-40mm厚的氧化鋁(Al₂O₃)單晶材料，經過本實用新型裝置多線切割、粗磨、上蠟、精磨、粗拋、精拋、去蠟、清洗后得到50-60mm直徑和0.5-0.6mm后的圓形襯底晶片。

本實用新型與其他工藝相比的優勢在于：

(1)技術指標提升：

a.正面表面粗糙度由＞0.3nm降到＜0.2nm；

b.TTV可以控制在5um以內，原先只能控制在10um以內；

c.BOW由＞0～5um，提升到-5～0um以內；

d.LTV由＞1.5um，降到1.2um以下；

(2)低成本：相對于一般加工工藝縮短了加工流程，提高了效率，成本更低。

附圖說明

圖1是本實用新型一種LED襯底晶片加工裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖及實施案例對本實用新型作進一步的說明。

如圖所示，本實用新型公開的一種LED襯底晶片加工裝置，包括切割器(1)、粗磨機(2)、上蠟器(3)、精磨機(4)、粗拋片(5)，所述的切割器(1)設置在粗磨機(2)上，精磨機(4)貫穿切割器(1)與上蠟器(3)相連接，粗拋片(5)設置在切割器(1)內部的精磨機(4)上；切割器(1)上、下側還分別設置有精拋片(6)和去蠟器(7)；上蠟器(3)上安裝有清洗裝置(8)；去蠟器(7)內部安裝有方便拆卸的漏料斗(9)。

本實用新型一種LED襯底晶片加工裝置，可以獲得表面無損傷層、晶格完整、藍寶石襯底晶片，表面粗糙度達到0.2納米以下，滿足氮化鎵外延生長所需的PSS藍寶石襯底表面，不僅提高藍寶石襯底晶片的質量，而且大大縮短制備周期，從而節約生產成本，又達到提高勞動生產率的目的。