[實用新型]一種銅銦鎵硒薄膜太陽電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320895171.6
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN203721739U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 申緒男;趙岳;王赫;楊亦桐;鄧朝文;趙彥民;喬在祥
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第十八研究所
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0236
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽電池，自下至上依次包括：襯底、背電極、銅銦鎵硒吸收層、緩沖層、i-ZnO層、透明窗口層、減反射層和柵線電極，其特征在于：所述襯底位于背電極一面的均方根粗糙度為80-120nm、所述背電極的兩面均方根粗糙度均與位于襯底一面的背電極均方根粗糙度相同、所述銅銦鎵硒吸收層與背電極接觸的面與背電極面的均方根粗糙度相同、銅銦鎵硒吸收層另一面均方根粗糙度為20nm以下，銅銦鎵硒吸收層最厚部分的厚度為≤1μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅銦鎵硒薄膜太陽電池，其特征在于：所述背電極為雙層Mo結(jié)構(gòu)，背電極最厚部分的厚度為600nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅銦鎵硒薄膜太陽電池，其特征在于：所述緩沖層為50nm厚的CdS層；所述i-ZnO層的厚度為50nm；所述透明窗口層為350nm厚的ZnO:Al層；所述減反射層為100nm厚的MgF₂層；所述柵線電極為2μm厚的Ni-Al。