[實用新型]加熱腔室以及半導體加工設備有效
| 申請號: | 201320891017.1 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN203721689U | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 賈強 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 以及 半導體 加工 設備 | ||
1.一種加熱腔室,包括平臺、腔室連接板和加熱單元,所述平臺和腔室連接板均為環體結構,且所述腔室連接板嵌套在所述平臺內,并由所述平臺支撐,并且在所述平臺和腔室連接板之間設置有第一密封圈,用于對二者之間的間隙進行密封;所述加熱單元用于向所述腔室連接板的內部空間提供熱量;在所述腔室連接板內還設置有冷卻通道,用于通過通入冷卻水冷卻所述腔室連接板;其特征在于,在所述腔室連接板內設置有環繞其內周壁的環形凹槽,且所述環形凹槽位于所述第一密封圈與所述腔室連接板的內周壁之間。
2.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,所述環形凹槽與所述腔室連接板的內部空間相連通。
3.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,在所述腔室連接板的內周壁上設置有隔熱板,用于阻擋所述腔室連接板直接吸收熱量。
4.根據權利要求3所述的加熱腔室,其特征在于,所述隔熱板的數量為一個或多個,且多個隔熱板沿所述腔室連接板的內周壁的徑向疊置或者間隔設置。
5.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,所述冷卻通道位于靠近所述腔室連接板的內周壁的位置處,以使由該內周壁吸收的熱量到達所述冷卻通道的傳遞距離大于到達所述第一密封圈的傳遞距離。
6.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,所述環形凹槽在所述腔室連接板的軸向截面上的投影形狀為長條形,且所述長條形的長度方向平行于所述腔室連接板的軸向。
7.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,所述加熱腔室還包括石英窗,所述石英窗設置在所述腔室連接板的頂部,并且在所述石英窗與所述腔室連接板之間設置有第二密封圈,用于對二者之間的間隙進行密封;
所述加熱單元包括加熱燈,所述加熱燈設置在所述石英窗的上方,用以采用熱輻射的方式透過所述石英窗向所述腔室連接板的內部空間輻射熱量。
8.根據權利要求7所述的加熱腔室,其特征在于,所述冷卻通道位于靠近所述第二密封圈的位置處。
9.一種半導體加工設備,包括加熱腔室,用于對被加工工件進行加熱,其特征在于,所述加熱腔室采用權利要求1-8任意一項所述的加熱腔室。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





