[實用新型]高可靠性發光二極管支架

有效

• 申請號: 201320890791.0
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN203721761U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 程志堅
• 申請（專利權）人: 深圳市斯邁得光電子有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/56
• 代理公司: 深圳市弘拓知識產權代理事務所(普通合伙) 44320
• 代理人: 彭年才

1.一種高可靠性發光二極管支架，其包括引線框架和設于引線框架上的基座，所述引線框架和基座限定一個反射凹腔，所述引線框架包括正電極框架和負電極框架，其特征在于，所述正電極框架和負電極框架之間具有間隙，所述正電極框架和負電極框架上具有與間隙相通的溝槽，所述間隙和溝槽內填充有絕緣部件，所述溝槽的槽底面具有沿著槽長方向延伸且經過化學腐蝕處理的粗糙部分，所述基座是熱硬化性樹脂基座，所述絕緣部件是熱硬化性樹脂層。

2.如權利要求1所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述溝槽的槽寬大于所述間隙的寬度，所述溝槽和間隙組合的截面呈T字形。

3.如權利要求1所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述溝槽由引線框架底面靠近間隙的邊緣向內凹陷或者由引線框架上表面靠近間隙的邊緣向內凹陷形成。

4.如權利要求1所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述溝槽由引線框架底面靠近間隙的邊緣向內凹陷，所述溝槽由引線框架的第一側面貫穿到與第一側面相對的第二側面，所述引線框架的底面與所述第一側面相交處內凹有與溝槽相通的第一側凹槽，所述引線框架的底面與所述第二側面相交處內凹有與溝槽相通的第二側凹槽。

5.如權利要求1所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述溝槽由引線框架上表面靠近間隙的邊緣向內凹陷，所述溝槽由引線框架的第一側面貫穿到與第一側面相對的第二側面，所述引線框架的上表面與所述第一側面相交處內凹有與溝槽相通的第一側凹槽，所述引線框架的上表面與所述第二側面相交處內凹有與溝槽相通的第二側凹槽。

6.如權利要求4或5所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述第一側凹槽沿著整個第一側面方向延伸，所述第二側凹槽沿著整個第二側面方向延伸，所述第一側凹槽的槽底面具有沿著槽長方向延伸且經過化學腐蝕處理的粗糙部分，所述第二側凹槽的槽底面具有沿著槽長方向延伸且經過化學腐蝕處理的粗糙部分。

7.如權利要求6所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述第一側凹槽和第二側凹槽內分別填充有絕緣層，所述基座、絕緣部件及絕緣層為同樣材料一體成型的結構。

8.如權利要求1所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述引線框架上表面包括暴露于反射凹腔用于固晶的固晶面和與基座結合的結合面，所述結合面至少在環繞反射凹腔底部的環狀區域經過化學腐蝕處理形成粗糙部分。

9.如權利要求1所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述基座包括覆蓋于引線框架結合面的上基座和包覆于引線框架側面的下基座，所述下基座與絕緣部件連成一體。

10.如權利要求1所述的高可靠性發光二極管支架，其特征在于，所述基座是熱硬化性環氧樹脂基座，所述絕緣部件是熱硬化性環氧樹脂層。