[實用新型]布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件

有效

• 申請號: 201320888928.9
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN203643701U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 張輝榮;羅輝;姚超;張偉;張志斌
• 申請（專利權）人: 西南技術物理研究所
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03
• 代理公司: 成飛(集團)公司專利中心 51121
• 代理人: 郭純武

技術領域

本實用新型涉及一種光電子技術領域，主要用于鐵電、壓電、電光、聲光和非線性光學，可制作調制器及開關，帶通濾波器、延遲器、倍頻器和參量振蕩器等。尤其涉及電光調Q元件封裝技術，特別涉及一種布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件的鍍銦凝膠封裝方法。

背景技術

電光晶體的工作電壓一般在幾千伏左右。常用電光晶體有磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、鈮酸鋰、偏硼酸鋇晶體和鉭酸鋰等晶體。鈮酸鋰晶體是單軸晶體，它具有透光范圍寬（0.37～5.0μｍ）、不潮解、電光性能好等優點。對于近、中紅外單程增益較小的激光器多采用按布儒斯特角切割的鈮酸鋰晶體作為電光Ｑ開關。這種按布儒斯特角切割的鈮酸鋰晶體，在激光器中同時起了相位延遲器和偏振片的作用，避免了多余光學元件插入諧振腔帶來的損耗。在激光器中安裝鈮酸鋰晶體時，由于布儒斯特角的鈮酸鋰Q開關元件性能對于角度非常敏感，必須采用一定封裝結構加以可靠固定，以滿足激光器光路調節、抗沖擊和引出電極的需要。采用傳統的封裝方法，在外接電極與晶體之間需要加一定壓力，以便實現良好的電接觸。由于外接電極與晶體間的接觸近似為剛性接觸，所以安裝時如果晶體上產生的夾持應力過大，會在鈮酸鋰晶體內部產生較大的應力雙折射，導致電光開關工作性能下降，而且晶體甚至有被壓碎的可能。另外，由于電光晶體工作電壓在幾千伏左右，如果絕緣不好，將產生漏電現象，造成電光開關無法使用，甚至危害其它設備。因此，布儒斯特角鈮酸鋰Q開關的封裝工藝對于實現高穩定性激光器具有重要意義。

發明內容

為了解決現有技術中布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件易損壞、易移動、性能下降的技術問題，本實用新型提供一種布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件，該布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件，消除了安裝應力對電光晶體所造成的破壞和電光相位延遲，而且由于直接采用環氧酚醛樹脂封裝電光晶體，防止了高壓漏電和溫度變形，使電光開關的關斷能力得到了很大的提高。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是，一種布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件的封裝結構，包括布儒斯特角鈮酸鋰晶體，其特征在于：作為鈮酸鋰Q開關元件的下電極設置在鈮酸鋰晶體的帶布儒斯特角的平行四邊形下底的鍍銦層上，作為鈮酸鋰Q開關元件的上電極設置在鈮酸鋰晶體的帶布儒斯特角的平行四邊形上底的鍍銦層上，環氧酚醛樹脂圍繞所述布儒斯特角鈮酸鋰晶體形狀包裹封裝為一體，形成封裝結構，且將與鈮酸鋰晶體側面呈布儒斯特角的矩形通光面顯露在外。

本實用新型和已有技術相比較，其效果是積極和明顯的。

本實用新型利用通孔的形狀與金屬電極和電光晶體形狀匹配，從而實現對電光晶體精密封裝，上電極鈦合金頂架2、下電極鈦合金底架3與電光晶體保證緊密電接觸，消除了安裝應力對電光晶體所造成的破壞和電光相位延遲，而且由于直接采用環氧酚醛樹脂封裝電光晶體，防止了高壓漏電和溫度變形，使電光開關的關斷能力得到了很大的提高，增強了電光開關的工作性能。

附圖說明

圖1是本實用新型一種儒斯特角鈮酸鋰電光晶體開關結構示意圖。

圖2是的俯視圖。

圖中：1鈮酸鋰晶體通光面；2上電極鈦合金頂架，3下電極鈦合金底架，4環氧酚醛樹脂膠，5上電極引線孔，6下電極引線孔，7布儒斯特角鈮酸鋰晶體。

具體實施方式

圖1和圖2所示的布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件，包括包括布儒斯特角鈮酸鋰晶體7，所述的布儒斯特角鈮酸鋰晶體通光面截面呈矩形，矩形通光面與鈮酸鋰晶體側面呈布儒斯特角。布儒斯特角的值由通過鈮酸鋰晶體的激光波長決定。布儒斯特角鈮酸鋰晶體下底鍍有銦層，所述的鍍銦層作為鈮酸鋰Q開關元件的電極。作為鈮酸鋰Q開關元件的下電極設置在鈮酸鋰晶體的帶布儒斯特角的平行四邊形下底的鍍銦層上，作為鈮酸鋰Q開關元件的上電極設置在鈮酸鋰晶體的帶布儒斯特角的平行四邊形上底的鍍銦層上，環氧酚醛樹脂圍繞所述布儒斯特角鈮酸鋰晶體形狀包裹封裝為一體，形成封裝結構，且將與鈮酸鋰晶體側面呈布儒斯特角的矩形通光面顯露在外。

布儒斯特角鈮酸鋰Q開關元件的封裝結構是由一套固定布儒斯特角鈮酸鋰晶體的鈦合金夾具形成的。所述的鈦合金夾具由上電極鈦合金頂架2、下電極鈦合金底架3和兩側梯形固定架圍繞所述布儒斯特角鈮酸鋰晶體形狀組合而成。